三安光电拟333亿投建泉州化合物半导体材料及所涉外延、芯片项目
2017-12-05 19:30:58
来源：中国证券网
原标题：三安光电拟333亿投建泉州化合物半导体材料及所涉外延、芯片项目 中国证券网讯（记者 孔子
原标题：三安光电拟333亿投建泉州化合物半导体材料及所涉外延、芯片项目
中国证券网讯（记者 孔子元）三安光电5日晚间公告，公司与福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府签署《投资合作协议》，根据协议约定：公司拟在福建省泉州芯谷南安园区投资注册成立一个或若干项目公司，投资总额333亿元，全部项目五年内实现投产，七年内全部项目实现达产，达产后年销售收入约270亿元。产业化项目为：1、高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目； 2、高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目； 3、大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目等。
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