全省造芯热背后：中国芯片恨铁不成钢，举国之力用错地方

自2017年以来，芯片的国产替代愿望从未如此强烈。近日，央视财经援引国务院发布的相关数据显示，中国芯片自给率要在2025年达到70%，而2019年我国芯片自给率仅为30%左右。

6年40%的自给率提升空间，按2019年我国芯片进口额为3040亿美元的保守计算，每年的市场蛋糕高达1200多亿美元。如此巨大的市场诱惑下，造芯浪潮自2017年奔涌而起，晶圆厂在全国遍地开花，几乎各省皆有芯片项目上马。国际半导体设备与材料产业协会（SEMI）发布的报告显示，2017年至2020年间投产的半导体晶圆厂约有62座，其中26座设于中国，占全球总数的42%。

然而，这26座晶圆厂，目前已知有成都格芯、南京德科码、德淮半导体和武汉弘芯4座晶圆厂，未到开花结果时即宣告停摆，给全省造芯热泼下四盆冷水，预示着这股热潮背后有着不可忽视的弊端。

.01.

不被看好的“举国之力”

全省造芯这种模式，有一个接地气的说法：举国之力。这方面，我国有原子弹的成功先例。原子弹属于军用产品，军用产品只要满足“能用”即算合格，但芯片属于民用产品，在摩尔定律跳跃的鞭子下，唯有冲到行业前列才有肉吃，仅仅“能用”的话，汤都喝不到。

贵为全球第五的芯片制造厂中芯国际，2019年毛利率是全球第一的台积电的45.23%，净利润率却只有台积电的17.41%，净利润额方面则更为悬殊，仅有台积电的1.56%，相当于台积电每赚100元，中芯国际只能赚1元5毛6分钱，“吃肉的”与“喝汤的”差距就是这么大。

正因为如此，举国之力并不被芯片业内看好。

台积电创始人张忠谋在接受媒体采访时就曾表示，大陆因为人才和经验方面的劣势，在晶圆代工上没有优势，无法超越台积电，应该将发力点放到芯片设计上。

即使国内的芯片业内人士同样不看好举国之力，尤其是它的翻版“全民造芯”。

8月26日，中国半导体行业协会副理事长、原清华大学微电子所所长魏少军在接受21世纪经济报道采访时表示，在全球化产业链中，不要尝试什么都自己做，不能一讲芯片受制于人就全民一窝蜂地大搞芯片，更不能整天想着如何在光刻机、EDA等环节上推进国产替代，未来半导体行业的全球化布局和开放合作仍然是时代的主流，对此必须有清醒的认识。

而南京德科码半导体、成都格芯、德淮半导体和武汉弘芯的先后停摆，似乎正好印证了张忠谋和魏少军对举国之力的负面看法。

不过，国内这四座芯片厂的停摆，并不能证明举国之力是花架子，相反，它在日本和美国已有成功的先例。

.02.

日本半导体以“举国之力”打败美国

1950年代，出于政治需要，美国对日本的科技产业实行扶持政策，日本公司可以轻松买到美国的最新发明专利授权。此时，日本政府顺势颁布《外国投资法》，对高科技产业进行政策引导。

1953年，索尼创始人盛田昭夫花数万美元买到了贝尔实验室的晶体管专利，并和美国公司前后脚开发出晶体管收音机，为索尼公司的成长奠定了第一块基石。

很快，日本又对想打入日本市场的美国半导体公司提出两点强制性要求：必须与日本企业合资；必须公开芯片专利。日本自此走上一条“引进赶超”的发展道路。

但1960年代，随着日本的电子手表、计算器、家电等横扫美国市场，日美发生贸易摩擦，美国停止对日本的芯片技术授权，美国投资也开始退出日本。“引进赶超”道路被截断了。

正在茁壮成长的日本半导体产业遭到致命打击，市场份额下跌，开始大规模退出市场。值此危难之际，日本政府在1970年代中期果断出手，作为投资方和组织者，以举国之力组织了NEC、日立、三菱、富士通和东芝等日本五家龙头企业，以及日本通产省电气技术实验室、电子技术综合研究所、日本电信电话公社等，启动VLSI（超大规模集成电路）开发项目。数年下来，项目大获成功，取得了1200多项核心专利，为日本在DRAM芯片产业的大发展奠定技术基础。

有了核心技术积累，此后十余年，日本半导体产业核心元件从对美国依赖度达80%，逆变为国产化率70%，日本半导体产业走上了“自主研发”的道路，并在1980年代中期打败美国，成为全球半导体第一强国。

而美国被日本一顿胖揍后，一改半导体领域由私人投资的做法，调头学习日本的“举国之力”。

.03.

美国学日本举国之力逆转竞争劣势

1987 年，美国政府联合以英特尔为首的13家半导体公司，启动了SEMATECH计划，以帮助美国半导体产业重回世界第一。SEMATECH计划和日本的VLSI开发项目不同，不是技术攻坚，而是研发资源整合。

该计划收获两大成果：

一是集中研发，减少重复浪费，并在半导体行业内共享研发成果，为企业减轻负担；

二是把半导体制造技术模块化，使设计与制造分离成为可能，促进了资金规模较小的芯片设计公司大发展。

早在1980年，美国国防部就 在南加州大学投资建立了MOSIS（MOS Implementation System） 项目 ，目的就是降低专用芯片（ASIC）设计成本 ，以弥补和日本竞争时的工艺技术短板。

MOSIS项目采用多品种掩膜技术模式，整合了全美芯片设计资源，还整合了各半导体厂家的最新工艺技术（掩膜版和流片），将几十种乃至上百种不同设计，做到同一套掩膜版上，并放在同一块晶圆上流片，大幅降低了芯片设计与流片成本。仅掩模版这一环节，就将成本从超过5万美元降到最低400美元，降幅最高达到99.2%。

MOSIS项目使美国芯片的整个研发成本降低到了原来1/50，使美国芯片设计迎来大爆发。

美国在芯片资源整合上使出的举国之力，直接导致整个半导体产业生态发生变化，设计和生产分离成为行业新趋势，直接催生了新的商业模式——无晶圆厂模式（Fabless）。台积电即受惠于此，抓住这一机遇，乘势而起。

收获最大的当然是美国半导体业，数百家芯片设计公司如野草滋生，涌现出英伟达（NVIDIA）、高通（Qualcomm）、博通（Broadcom）和赛灵思（Xilinx）等细分行业的领头羊设计公司。日本的芯片公司则固守设计和制造一体化的垂直模式，加上政府认真贯彻美国逼迫日本签订的《日美半导体协议》，搞限产、限价，帮助美国捆住了日本半导体企业的手脚。

1995年，美国超越日本，重回全球半导体第一位置。

可见，“举国之力”本身没有问题，问题的重点是“举国之力”该如何发力。

.04.

发错了力的“举国之力”

前面说的南京德科码、德淮半导体和武汉弘芯等项目，恰恰是“举国之力”发错了力，它们都有一个共同的运营模式，即先由发起人引入政府基金，公司成立前后，宣传发力放水，“弥补XX缺芯不足”、“填补国内XX空白”等炫目口号喷涌而出。公司成立后，一边建设一边期望引进大基金投资，借助大基金品牌效应，带动社会风险资本投入，从而填补上项目的资金缺口。

这几个项目之所以夭折，直接原因是大基金并未如期入局，社会风险资本又在局外驻足观望，结果资金链断裂，项目停摆。

在这场游戏中，地方政府成了“韭菜”。德淮半导体号称投资450亿元，实际完成投资额46亿元，几乎全靠地方政府支撑；武汉弘芯号称投资1200亿，地方政府投入2个亿；南京德科码号称投资30亿美元（约合人民币200亿元），地方政府投入近4亿元。不算其它停摆的项目，仅这三个就让地方政府损失52亿元左右，还有烂尾项目的债务和员工安置问题处理，负面影响并不低于纸面损失。

而且为了让割韭菜的游戏顺利进行，其中的德淮半导体还费尽心思“表演”：所谓的2018年实现供货量产，预计收入20亿元，不过是在表演以应付政府检查而已，包括发布招聘、建厂等消息，假装在车间进行生产调试，假装干活，以应付政府检查（见下图）。

.05.

中国芯片“恨铁不成钢”？

即便上述项目闯过资金考验关，顺利引入大基金和社会风险资本，由于缺乏核心技术储备，前路依然充满未知的艰险。

南京德科码高度依赖购买海外技术，先从意法半导体购买COMS传感器的相关工艺授权，接着从安森美半导体收购相关专利和技术授权，之后又找原日本东芝CMOS图像传感器的设计和研发团队，同时向合作方TowerJazz支付高昂的技术授权费。

德淮的“核心技术”同样源于日本东芝的CIS团队。2015年12月，东芝CIS业务被索尼收购，东芝CIS团队自谋出路。适逢德淮四处搜购核心技术，于是2016年4月，该团队在日本注册成立IDTC，成为德淮的设计公司，但3年多时间里，德淮用巨资供养的IDTC没有开发出任何一款具有市场意义的产品。

成都格芯则更让人惊诧，外方格罗方德以1000台二手设备就要占据合作项目的51%股份，这明摆着是欺负中方合作者没有核心技术，所以要价高得离谱。

地方政府也不是傻子，但在急于出政绩的心理冲动下，在将芯片产业等同于传统制造业的思路引领下，赚快钱的热血奔涌，一冲动即成“韭菜”。从这个方面说，“全省造芯热”明显是将举国之力用错了地方，恰好坐实了张忠谋泼的“冷水”：大陆很难搞好芯片制造。

举国之力应该如何发力？就我国目前的芯片处境来说，举国之力的发力点应该是企业难以做到的烧钱多、耗时长、影响面广的基础研发突破，包括先进光刻机、EDA软件等，这些都是国产芯片产业的“七寸”，也是当前美国打击的重点。

不只地方政府，举国之力的代表之一“大基金”，对芯片的基础研发也是不够重视的，对此，美国工程院院士、中科院外籍院士、微电子科学家马佐平（下图）深有感触。

早在2014年，《国家集成电路产业发展推进纲要》出台，1380亿元的国家集成电路产业投资基金建立（俗称“大基金”）。马佐平以为提建议的好时机到了，于是托朋友约到大基金总经理，建议拿出哪怕5%的资金做基础研发，虽然一时难见收益，但10到20年必有成效。但对方并未听从建议，而是花钱买公司、建厂子，后曾想收购镁光科技，最终以失败告终。

正因为如此，马佐平才悲愤地说，中国芯片让人“恨铁不成钢”。

如果当初马佐平的建议被采纳，如今6年过去，国产光刻机的最高分辨率应该突破90nm了，如果达到14nm甚至7nm的话，华为海思芯片也不至于成绝唱，中芯国际还发愁什么有钱买不到先进光刻机，中兴还用老老实实将挣的利润交美国的罚款？

中国芯数十年发展，一路坎坷，从最初的“造”（自研）不如买，到后来买产品、买技术受限，现在又被迫回到自研的出发点，正应了一句话： 在商业世界，赚快钱往往意味着赚不到钱；在科技研发领域，走捷径抄近路常常是回头重走。