国电南瑞:合资导入核心技术,IGBT产业化进程加快
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国电南瑞:合资导入核心技术,IGBT产业化进程加快

2019年10月18日 17:02:02
来源:证券时报

东吴证券发布国电南瑞的研报指出,与国网联研院合资设立功率半导体子公司,南瑞占比69.8%。本次以技术入股让是引入联研院核心技术,加快国电南瑞IGBT产业进程。本次联研院出资范围包括1200V焊接型、1700V、3300V焊接型及压接型、4500V焊接型及压接型IGBT和FRD芯片、IGBT模块的完整知识产权(设计、工艺、测试、材料清单、专利等),及芯片工艺线建设和封装线建设的技术经验,涵盖输电、新能源、用电、电动汽车、工控等诸多应用领域。联研院将组建不少于30名专业IGBT研发人员的技术成果转化团队,优先从事第一批技术成果的产业化支撑和迭代优化、及第二批1200V/1700V沟槽栅型IGBT芯片和模块的研发,直至前两批技术全部实现连续三批次批量化稳定生产,并将本次技术转化的情况作为团队的业绩考核主要依据。给予公司目标价28.5元,对应20年25倍PE,维持“买入”评级。