国家存储器基地项目二期在武汉开工 二期规划产能20万片/月
中国证券网报道，6月20日上午，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。
在开工仪式上，紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍了项目情况。国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能；二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。
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