国家存储器基地项目二期开工 国产化进程望提速
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国家存储器基地项目二期开工 国产化进程望提速

证券时报e公司讯,6月20日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,两期项目达产后月产能共计30万片。随着国家存储器基地项目二期开工,存储器国产化进程望迎来提速。A股公司中,太极实业是国家存储器基地工程(一期)厂区和综合配套区项目设计、采购施工的总承包商。紫光国微DRAM存储器芯片和内存模组已形成完整的产品系列。国科微公司与长江存储达成战略合作。 (怀新资讯)

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