国家存储器基地项目二期开工 有望带动设备投资（附股）

6月20日，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新区开工。该项目计划分两期建设3D　NAND闪存芯片工厂，一期项目规划产能每月10万片，二期将达到20万片，总体投资240亿美元。项目一期于2016年底开工建设，32层、64层存储芯片产品现已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。

华创证券指出，存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，也是中国进口金额最大的集成电路产品。近些年内存、固态硬盘、显卡价格屡现上涨，根源在于存储芯片掌握在少数国外厂家手中。国产化将降低国内半导体产品成本，并提升上游设备公司订单。

北方华创的刻蚀设备、PVD设备、清洗设备此前已获长江存储订单。

精测电子曾中标长江存储集成式膜厚光学关键尺寸量测仪。

新莱应材生产的超净管道阀门是半导体设备及厂房中不可或缺的“血管”。

其他公司：太极实业、中微公司。