集体大涨，芯片大消息

芯片巨头，狂飙！

今日（2月12日），在韩国股票市场上，芯片股集体走强。三星电子涨超6%，股价再创历史新高；SK海力士涨超3%，逼近数天前创下的历史高点。

市场分析人士指出，多则利好消息，刺激了芯片股大涨：一是，OpenAI、三星电子和SK海力士正筹备于3月在韩国启动数据中心建设；二是，三星电子表示，已启动“业界首款”HBM4芯片的量产，并已向客户交付了商业产品；三是，隔夜美光科技股价大涨近10%，提振了市场对芯片股的信心。

当天，在A股市场上，存储芯片概念股也集体异动。截至下午收盘，石英股份、博杰股份涨停，协创数据涨超15%，江丰电子涨超10%，炬光科技、广立微涨超9%，佰维存储、德邦科技、灿芯股份等涨超7%。

盘后，华虹半导体在港交所公告，公司2025年第四季度销售收入再创历史新高，达6.599亿美元，同比增长22.4%，环比增长3.9%。毛利率13.0%，同比上升1.6个百分点，环比下降0.5个百分点。母公司拥有人应占利润1750万美元，上年同期为亏损2520万美元。公司预计2026年第一季度销售收入约在6.5亿美元至6.6亿美元之间，毛利率约在13%至15%之间。

芯片巨头大涨

今日，韩国股市高开高走。截至收盘，Kospi指数涨幅超过3%，并突破5500点关口，再创历史新高。

芯片股集体大涨，三星电子涨超6%，再创新高，总市值突破1000万亿韩元。韩美半导体涨近10%，SK海力士涨3.26%。

隔夜，美股存储概念集体走强，闪迪涨超10%，美光科技涨9.94%。美光科技首席财务官 Mark Murphy在周三举行的一场会议上表示，其HBM4已进入量产，整体进度好于预期，并开始供货给客户。同日，摩根士丹利将美光科技目标价从350美元上调至450美元。

今日（2月12日），三星电子表示，已开始第六代高带宽内存（HBM4）的首次商业发货，成为全球首家将这种最先进芯片商业化的公司。此次发货时间比市场预期提前了一周。三星电子表示，这种内存可为人工智能（AI）计算提供“极致性能”。

三星电子称，此次发货将使该公司能够“在HBM4市场中抢占早期领先地位”。该公司补充道：“在HBM4成功推向市场之后，HBM4E的样品采集工作预计将于2026 年下半年开始，而定制的HBM样品也将按照各自规格于2027年开始交付给客户。”与上一代产品相比，采用新型HMB4芯片的“单个堆栈总内存带宽提升了2.7倍”。

日前，三星电子在韩国半导体展高调展示其进军下一代人工智能内存领域的战略，重点强调客户对第六代高带宽内存（HBM4）的积极反馈，并公布升级版先进封装技术路线图。

三星电子首席技术官昨日（2月11日）表示，HBM4获得的客户反馈“非常令人满意”，并透露公司计划本月启动该产品的大规模量产出货。据悉，三星电子与SK海力士预计将向英伟达即将推出的Vera Rubin AI加速器平台供应HBM4。新一代内存芯片数据传输速率达11.7Gbps，超越英伟达11Gbps的技术要求，创下行业新标杆。

三星电子首席技术官Song Jai-hyuk表示，公司集内存、晶圆代工和先进封装于一体的垂直整合架构，使其能够快速响应AI市场需求。他补充称，包括HBM4E和HBM5在内的下一代产品已进入研发阶段。

在主旨演讲中，Song Jai-hyuk系统阐释了三星以定制化HBM、垂直集成zHBM及混合铜键合（Hybrid Copper Bonding）技术为核心的内存战略。

定制化HBM旨在将部分图形处理功能从GPU转移至HBM堆叠中的基础芯片，从而提升性能效率；zHBM则通过3D堆叠技术将内存与CPU、GPU等计算芯片垂直集成，以增强带宽并降低功耗。为实现上述架构，三星计划部署混合铜键合技术，该技术无需微凸块即可实现芯片直接键合，可使芯片更薄、互连距离更短、数据传输更快，凸显先进封装在AI芯片性能中的关键作用。

分析师：内存与封装将成为主角

三星此次在韩国半导体展上的技术展示，正值行业分析师强调AI基础设施增长愈发依赖内存与封装技术，而非仅靠晶圆产能扩张。国际半导体产业协会（SEMI）市场情报部高级总监曾瑞榆表示，AI领域创纪录的资本支出并不直接转化为有效产能。“我们观察到资本投入创历史新高，但单纯增加支出无法解决瓶颈问题。”曾瑞榆表示，真正的制约因素正从晶圆产能转向良率、先进封装及认证周期。

据SEMI数据，2025年韩国芯片出口额达1734亿美元，同比增长22.2%，其中去年12月单月出口额创207亿美元新高，反映韩国在AI加速器供应链中的深度整合。曾瑞榆预测，到2027年全球半导体营收与AI相关资本支出均将突破1万亿美元。晶圆厂月产能预计从当前的2500万片增至2030年的约4500万片，2026—2028年间韩国年均晶圆厂投资规模将达400亿美元。

曾瑞榆强调，内存与先进封装已成为AI基础设施的系统级制约因素：“内存与封装不再是配角，它们直接决定了AI基础设施的扩张速度。”

花旗韩国研究主管李世澈认为，下一波AI需求可能逐步从集中式云端系统转向分布式设备端应用，混合键合等后端工艺技术正与前端晶圆制造同步成为战略重点。

近日，高盛亚太区股票策略主管Timothy Moe将当前市场环境称为“超常态盈利期”，指出DRAM与NAND均面临创纪录的供应缺口，赋予内存制造商强劲定价权。他认为，这一环境或贯穿今年并延续至明年，尤其是在AI需求持续向多行业渗透的背景下。在此格局中，市场焦点集中于三星能否在高带宽内存（HBM）领域缩小与SK海力士的差距——HBM是AI加速器的核心组件。

包括微软、亚马逊、Meta、甲骨文公司和Alphabet在内的科技巨头，正计划在2026年总计投入超过6000亿美元的资本支出。

韩国科学技术信息通信部长官裴庆勋2月11日表示，OpenAI、三星电子和SK海力士正准备于3月在韩国启动数据中心建设项目。去年10月，韩国政府曾宣布，OpenAI计划与上述两家韩国公司组建合资企业，在韩国建设两座数据中心，初期总供电容量为20兆瓦。

当地时间周三，Meta表示，公司将在印第安纳州投资超100亿美元，建设一个数据中心园区，这是Meta迄今最大规模的人工智能基础设施投资之一。据悉，该园区预计将提供1吉瓦的电力容量，将于2027年底或2028年初投入运营。

数据中心的大规模建设，对内存制造商带来利好。根据TrendForce数据，由于AI与数据中心需求持续增长，导致全球存储产品供需进一步失衡，存储原厂议价能力继续加强，预计一季度整体DRAM合约价（包含HBM）将环比上涨80%-85%，而整体NAND Flash合约价则环比上涨55%-60%。由于存储价格持续上涨，驱动行业产值逐年增加，预计2026年整体存储产业产值将达5516亿美元，2027年有望同比增长53%至8427亿美元。

平安证券表示，当前海外CSP不断加码AI基础设施建设持续拉升企业级存储需求，推动存储行业景气持续上行，存储主流产品迎来量价齐升态势，考虑到当前AI持续高景气，认为本轮存储周期的强度和持续性有望超过上一轮，相关产业链企业有望迎来盈利水平明显提升。