海力士狂飙引爆存储炒作情绪 美光、闪迪逆势再创新高
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海力士狂飙引爆存储炒作情绪 美光、闪迪逆势再创新高

当地时间周一,存储牛股美光科技和闪迪逆势拉升,股价再度创出历史新高

截至周一收盘,美光科技涨6.31%,闪迪涨近5%。希捷科技、西部数据也在这番情绪的鼓动下创出盘中历史新高。

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(来源:TradingView)

作为存储板块大涨的直接诱因,周一亚洲交易时段,即将登陆美股市场的SK海力士暴涨12%,市值首次突破1000万亿韩元(相当于人民币4.62万亿元)。SK海力士收盘市值达到6970亿美元,位居全球上市公司市值榜单第16位。分析指出,上周美国科技四巨头谷歌、微软、亚马逊和Meta预告今年7000亿美元的资本支出提振了韩国存储巨头的炒作情绪。

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(SK海力士日线图,来源:TradingView)

顺便一提,另一家存储巨头三星电子周一“仅”上涨约5%,同样创出历史新高。涨幅不如海力士的原因是存储芯片太赚钱导致劳资纠纷升级,市场正在衡量潜在罢工的影响。三星工会曾威胁,可能会从5月21日起开展为期18日的罢工。

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(韩国存储双雄已经成为全球市值最高上市公司之一,来源:companiesmarketcap)

有两大同行的衬托,美光科技周一逆势大涨也在情理之中。道琼斯市场数据显示,美光科技上周五首次突破6000亿美元市值关口,一个半月前公司才刚突破5000亿美元市值,距离其达到2000亿美元门槛仅过了7个月时间。

为了论证这轮存储涨势还能延续,各路媒体和分析师也各显神通。

科技媒体Wccftech在上周日的报道中着重提及,美光科技的董事长、总裁兼首席执行官桑贾伊·梅洛特拉(Sanjay Mehrotra)近日接受媒体采访时表示,人工智能还处于非常早期的阶段(“第一局”)

梅洛特拉当时表示:“随着推理的扩展,对词元的需求会增加,而这些词元需要高速处理,猜猜看,你需要更多内存,需要更快的内存,才能释放内存的全部潜力。而且如今内存供应非常紧张,供应不可能那么容易提升,你可以从我们的业绩中看到这一点。”

美光科技正在为英伟达的Vera Rubin平台提供12层HBM4 DRAM内存,公司还在开发下一代HBM4E内存,预计将于明年投产。公司最近发布了256 GB SOCAMM2 内存,还为英伟达的 Groq 3 LPX 提供DDR5内存。

在华尔街分析师中,最看好美光科技的分析师是 D.A. Davidson 的吉尔·卢里亚(Gil Luria),他近期给予该公司高达1000美元的首次覆盖目标价,较当前水平还有近8成的升值空间。

卢里亚解读称,仅仅在一年前,存储还被视为计算市场中价值较低的部分,那时存储芯片被视为一种同质化商品,主要面向C端用户。同时,内存市场历来具有周期性,2023出现的内存供过于求,导致行业大幅下行和亏损。

不过,卢里亚认为当前情况可能有所不同。他表示目前多种内存产品处于供应短缺状态,而且这种局面可能还会持续一段时间。同时,像高带宽内存(HBM)这类产品,由于在AI数据中心中的应用,其同质化特征已经明显减弱。

与此同时,股票研究机构Fox Advisors和伯恩斯坦也接连发布报告,分别将闪迪目标价上调至1500美元和1750美元,强调NAND芯片涨价对公司构成的利好。

当然,并非所有的声音都在激情唱多。韩国研究机构Matrix的首席执行官Kwak Sang-jun在近期的流媒体节目中提出了一种分辨“三星和海力士还能涨多久”的思路。

Kwak表示,历史上股价高点通常出现在盈利高点前1至1.3年。三星电子在2021年1月的股价高点就是一个例子,公司的实际盈利高点出现在2023年。

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