奕斯伟材料申请绝缘体上硅相关专利,制备绝缘体上硅衬底,调控顶层硅厚度
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奕斯伟材料申请绝缘体上硅相关专利,制备绝缘体上硅衬底,调控顶层硅厚度

5月23日消息,国家知识产权局信息显示,西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“绝缘体上硅衬底及其制备方法”的专利。申请公布号为CN122073992A,申请号为CN202511723309.8,申请公布日期为2026年5月22日,申请日期为2025年11月21日,发明人蒋治国、张雯、李娟、兰洵,专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师侯丽丽、宋东阳,分类号H10W10/00、H10W10/10、H10P90/00。

专利摘要显示,本公开提供了绝缘体上硅衬底及其制备方法,包括:执行第一次离子注入以得到第一施主衬底;将第一施主衬底与第一支撑衬底键合成第一键合片;分离第一键合片,以形成包括第一顶层硅层的中间衬底;对中间衬底进行中间平坦化处理,以形成平坦化中间衬底;对平坦化中间衬底进行第二次离子注入,以在经第二次离子注入的平坦化中间衬底的第一顶层硅层内部形成第二剥离平面;将经第二次离子注入的平坦化中间衬底与第二支撑衬底键合成第二键合片;分离第二键合片,以形成第一绝缘体上硅结构和第二绝缘体上硅结构,第一绝缘体上硅结构的顶层硅厚度小于第二绝缘体上硅结构的顶层硅厚度;对第一绝缘体上硅结构进行最终平坦化处理,以形成目标绝缘体上硅衬底。

西安奕材于2016年3月16日成立,并于2025年10月28日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均位于陕西省西安市。公司专注12英寸硅片领域研发生产,在半导体材料市场颇具潜力。

西安奕材所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料,涉及次新股、新股与次新股、昨日高振幅等概念板块。其主营业务是专注于12英寸硅片的研发、生产和销售。

2025年,西安奕材实现营业收入26.49亿元,在行业26家公司中排名第6,高于行业平均数19.89亿元和中位数11.14亿元,但与行业第一名有研新材的95.42亿元、第二名雅克科技的86.11亿元仍有差距。其主营业务构成中,测试片占比39.33%(10.42亿元),抛光片占比37.15%(9.84亿元),外延片占比23.03%(6.1亿元) 。不过,公司当期净利润为 -7.38亿元,在行业中排名25,远低于行业平均的3265.85万元和中位数8178.71万元,与第一名雅克科技的10.3亿元和第二名江丰电子的4.14亿元差距明显。

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 协同控制体微缺陷的直拉硅单晶生长方法、装置及硅晶圆 发明专利 公布 CN202610368132.2 2026-03-24 CN122013300A 2026-05-12 毛勤虎
2 一种加料角度调节方法及系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610350636.1 2026-03-20 CN121931593A 2026-04-28 赵嘉诚
3 一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610346713.6 2026-03-20 CN121931597A 2026-04-28 杨文武、宁沛娜
4 单晶生长方法及设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610345729.5 2026-03-20 CN121931595A 2026-04-28 潘浩、石小磊
5 一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610346716.X 2026-03-20 CN121931598A 2026-04-28 杨文武、宁沛娜
6 一种研磨定盘及研磨设备、研磨方法 发明专利 公布 CN202610347640.2 2026-03-20 CN122008064A 2026-05-12 章晓东
7 抛光机、抛光垫检测方法、装置、检测设备、产品及介质 发明专利 公布 CN202610345452.6 2026-03-20 CN122008069A 2026-05-12 杨鑫卓
8 一种加热系统、方法及单晶硅生长装置 发明专利 公布 CN202610349958.4 2026-03-20 CN122039199A 2026-05-15 潘浩、王浩、孙洪涛
9 一种晶圆形貌分类的方法、装置、设备及介质 发明专利 公布 CN202610269906.6 2026-03-06 CN122049540A 2026-05-15 李彤、兰洵、袁力军、李安杰、张婉婉
10 晶棒处理设备和晶棒处理方法 发明专利 公布 CN202610120374.X 2026-01-28 CN121945472A 2026-05-01 郭宏雁、黄兆皓
11 硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610079762.8 2026-01-21 CN121865865A 2026-04-14 贾志怡
12 控制半导体单晶生长的方法、装置、及晶棒 发明专利 公布 CN202512010297.0 2025-12-29 CN121653837A 2026-03-13 杨文武、宁沛娜
13 半导体制造设备,及其尾气处理方法、系统 发明专利 公布 CN202512010197.8 2025-12-29 CN121944738A 2026-05-01 杨文武、宁沛娜
14 一种硅片缺陷处理方法、表面处理液、硅片及清洗装置 发明专利 公布 CN202512012667.4 2025-12-29 CN122028669A 2026-05-12 张申申
15 拉晶工艺的功率控制方法、装置、设备及计算机存储介质 发明专利 公布 CN202511996021.8 2025-12-26 CN121675079A 2026-03-17 杨文武、宁沛娜
16 半导体晶圆及其处理方法和系统 发明专利 公布 CN202511982083.3 2025-12-25 CN122073964A 2026-05-22 李娟、蒋治国、兰洵
17 绝缘体上硅衬底及其制备方法 发明专利 公布 CN202511982091.8 2025-12-25 CN122073994A 2026-05-22 李娟、兰洵、蒋治国
18 双面抛光方法及设备、计算设备、介质及抛光晶圆 发明专利 公布 CN202511961424.9 2025-12-24 CN122008066A 2026-05-12 潘石、刘还平、白强强、王明
19 一种晶圆的抛光方法以及晶圆 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511956856.0 2025-12-23 CN121941286A 2026-04-28 贾磊、杨新元、王明
20 抛光头组件、化学机械抛光系统及晶圆的制备方法 发明专利 公布 CN202511911677.5 2025-12-17 CN121624982A 2026-03-10 王鹏、许涛、杨启
21 晶圆检测设备和晶圆检测方法 发明专利 公布 CN202511904874.4 2025-12-17 CN121678673A 2026-03-17 薛博涛、陈光林、刘玉乾、黄兆皓
22 单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉 发明专利 公布 CN202511905877.X 2025-12-17 CN121951677A 2026-05-01 潘浩、崔源进、张鹏举
23 一种晶圆清洁系统及方法 发明专利 公布 CN202511907326.7 2025-12-17 CN121969052A 2026-05-01 康建
24 硅片的切割线痕缺陷检测方法、系统及存储介质 发明专利 公布 CN202511904614.7 2025-12-17 CN122048788A 2026-05-15 杨宗辉、陈曦鹏、王黎昱
25 线切割装置及线切割取样方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511899233.4 2025-12-16 CN121403584A 2026-01-27 王晋飞
26 一种电阻率测试装置及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511897839.4 2025-12-16 CN121917845A 2026-04-24 贺鹏
27 清洗设备、清洗方法、清洗装置、控制设备、产品及介质 发明专利 公布 CN202511866027.3 2025-12-11 CN121665982A 2026-03-13 张树星、陈海龙、夏新超、左斌
28 一种拉晶装置及拉晶方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511869249.0 2025-12-11 CN121781273A 2026-04-03 闫龙、张鹏举、吴超、纪天平、李智超
29 一种边缘缺陷的检测方法、装置、设备、系统及介质 发明专利 公布 CN202511869589.3 2025-12-11 CN122016796A 2026-05-12 周淼
30 热场调节装置、单晶炉和热场调节方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511856243.X 2025-12-10 CN121344772A 2026-01-16 黄文洋
31 一种籽晶倾斜检测方法及装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511855413.2 2025-12-10 CN121366283A 2026-01-20 彭标、孙洪涛
32 一种晶棒切割装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511858998.3 2025-12-10 CN121572470A 2026-02-27 王磊磊、霍慧文、刘士靖、刘倩
33 一种砂轮参数确定方法及装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511854835.8 2025-12-10 CN121580854A 2026-02-27 李彤、兰洵、袁力军、李安杰、张婉婉
34 一种拉晶收尾的控制方法及系统 发明专利 公布 CN202511858477.8 2025-12-10 CN121826878A 2026-04-10 纪天平、彭标、闫龙
35 一种晶圆的检测方法、系统及介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511859289.7 2025-12-10 CN121908854A 2026-04-21 史铁柱、庞鲁、王龙
36 半导体设备的检验方法、装置、设备、系统及介质 发明专利 公布 CN202511854133.X 2025-12-10 CN121978104A 2026-05-05 李康康
37 缺陷晶圆的拦截方法、装置、设备及介质 发明专利 公布 CN202511842176.6 2025-12-09 CN121969119A 2026-05-01 程瑜、贺鑫、胡一洲、万珣
38 晶圆边缘质量的评估方法、装置、设备及介质 发明专利 公布 CN202511844052.1 2025-12-09 CN122042479A 2026-05-15 薛浩波、袁力军、兰洵、张婉婉
39 晶圆检测方法及相关装置 发明专利 公布 CN202511837367.3 2025-12-08 CN121665979A 2026-03-13 吕天爽
40 晶棒长度的确定方法、装置、介质及晶体生长系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511840689.3 2025-12-08 CN121874923A 2026-04-17 赵亮
41 一种单片清洗装置及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511840630.4 2025-12-08 CN121888884A 2026-04-17 左斌、陈海龙、王颖、张树星、夏新超
42 硅片研磨的生产系统、控制方法和装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511840651.6 2025-12-08 CN121870626A 2026-04-17 王琛、张宁轩、黄兆皓
43 硅生长轴连接装置、硅生长系统及埚转偏差协同补偿方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511840788.1 2025-12-08 CN121874924A 2026-04-17 彭标、孙洪涛
44 一种晶圆的检测方法、系统及介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511840660.5 2025-12-08 CN121925097A 2026-04-24 史铁柱、庞鲁、王龙
45 单晶硅的拉晶控制方法、装置及相关设备 发明专利 公布 CN202511826516.6 2025-12-05 CN121538725A 2026-02-17 杨松、赵亮
46 绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511830184.9 2025-12-05 CN121908606A 2026-04-21 张博、兰洵、车宇航、王文娟、刘贵浩
47 晶圆的清洗方法、设备、以及晶圆 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511815254.3 2025-12-04 CN121604750A 2026-03-03 党快乐、兰洵
48 一种双面抛光方法、双面抛光设备及硅片 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511817716.5 2025-12-04 CN121870547A 2026-04-17 郭宏雁、陈祖庆
49 硅片切割线痕判定方法及装置、电子设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511772774.0 2025-11-28 CN121374876A 2026-01-23 王黎昱、陈曦鹏
50 一种外延片边缘形貌补偿型晶圆双面抛光装置及方法 发明专利 公布 CN202511770029.2 2025-11-28 CN121535652A 2026-02-17 王俊夫

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