国产DRAM破局者:长鑫存储全面解析
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国产DRAM破局者:长鑫存储全面解析

十年磨一剑,从巨亏370亿元到单季净利润330亿元,"3+1"全球DRAM格局已经形成。

⚡ 核心速览

· IPO核心进展:2026年5月27日科创板过会,拟募资295亿元,预计7-8月挂牌上市,将成为A股"存储芯片第一股"

· 2026年Q1炸裂业绩:营收508亿元(同比+719%),净利润330亿元(同比+1268%),日赚近4亿元

· 全球DRAM市场份额:8%(2026年Q1),全球第四、中国第一,已翻倍增长打破海外垄断

· 最新估值:上市后市场预期估值2500-3000亿元;激进机构按20倍PE测算可达3万亿元

一、公司概览与IPO进展

长鑫科技集团股份有限公司(以下简称"长鑫科技")成立于2016年,总部位于安徽合肥,是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业,也是国内唯一实现DRAM大规模量产的IDM企业。

2025年12月30日,长鑫科技正式向上交所递交招股书,拟在科创板挂牌上市,成为科创板首单采用"预先审阅机制"申报上市的企业。2026年5月27日,上交所科创板上市委审议通过其IPO申请,顺利过会。本次IPO拟募资295亿元,计划75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、130亿元用于DRAM存储器技术升级、90亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研发。这不仅是2026年迄今A股最大IPO,更位列科创板融资额历史第二。

二、核心技术:从"跳代研发"到性能跻身国际第一梯队

1. 核心策略——"跳代研发"

面对三星、SK海力士、美光三巨头数十年积累的专利护城河与技术壁垒,长鑫的突围选择了战略性差异化路径:放弃在老旧技术节点上缠斗,直接瞄准市场主流方向。2019年首款产品直接切入DDR4,而非低门槛制程,从源头锁定了与国际巨头同台竞争的赛道。

此后,公司持续推进产品迭代:从第一代工艺平台一路跃进至第四代,2019年量产首颗8Gb DDR4,2025年底相继推出LPDDR5X和DDR5。LPDDR5X速率突破10667Mbps,DDR5速率高达8000Mbps,单颗最大容量24Gb。

2. 工艺制程与良率突破

长鑫已基本攻克10nm级工艺节点的良率瓶颈——具体覆盖18.5nm及17nm工艺,其中17nm DDR4产品良率已达80%,即将进入DDR5大规模放量期。此举将加速国产PC和服务器内存从DDR4向DDR5的全面切换。

3. 研发投入——硬核数据

DRAM竞争的核心是研发投入与人才储备的较量。长鑫招股书披露:2022年至2025年上半年,累计研发投入188.67亿元,占累计营收的33.11%。2025年上半年研发费用率达23.71%,远超同期三星电子(11.74%)、SK海力士(7.39%)及美光(10.66%)的研发费用率。

研发团队方面,公司拥有4653名研发人员,占员工总数超过30%;累计申请专利5589项(境内3116项、境外2473项),2024年美国专利授权量排名全球第42位,在中国上榜企业中位列第4。

三、核心产品体系:DDR+LPDDR双线出击

长鑫科技核心业务涵盖DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组三大产品形态,已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的全覆盖。

DDR系列:瞄准PC与服务器

· DDR4:推出8Gb DDR4芯片及8GB DDR4内存条,17nm工艺良率达80%,已在PC、工控和入门级服务器市场大量铺货

· DDR5:首款国产DDR5产品速率高达8000Mbps,最高颗粒容量24Gb,已发布七大模组形态(UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM),覆盖全场景

· 同时推出8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品(2026年5月量产),10667Mbps版本已启动客户送样

LPDDR系列:进军移动端

· LPDDR4X:第四代超低功耗DRAM,采用LVSTL低功耗接口技术,适用于高性能、长续航移动设备

· LPDDR5:12GB LPDDR5芯片已完成小米、传音等品牌手机机型验证

️ 四、技术壁垒与竞争短板(两面性分析)

✅ 竞争壁垒

长鑫以完整的IDM模式覆盖设计、制造和封装全链条,这是国内其他存储企业不具备的核心竞争壁垒。此外,长期承担国家级重大科研项目,拥有中国专利优秀奖、高新技术企业认证;与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米等头部客户建立长期合作,头部客户验证背书证明产品力的可靠性。

❌ 行业短板与差距

· 技术代差仍然存在:TechInsights报告评估显示,长鑫DDR5技术与韩国头部企业存在3-4年的代际差距;尚未涉足AI高带宽内存(HBM)领域,而三星、SK海力士、美光三巨头已将该领域作为战略重点

· 专利储备远不及国际巨头:长鑫累计专利5589项,但三星、SK海力士等企业专利储备达数万项量级,长鑫仅为"零头",面临美光337调查等专利侵权风险

· 供应链风险:关键半导体设备与EDA工具仍高度依赖进口,国产化率亟待提升

五、行业地位与全球竞争格局

1. 全球DRAM格局("3+1"新格局形成)

2026年第一季度,全球DRAM收入市场份额如下:

排名 厂商 份额 地位

1 三星 38% 全球第一

2 SK海力士 29% 全球第二

3 美光 22% 全球第三

4 长鑫存储 ≈8% 中国第一、全球第四

三家国际厂商合计仍占约89%份额,但长鑫已成为增长最快的DRAM厂商,一年内全球市占率翻倍。

2. 国内DRAM市场需求与成长空间

中国是全球主要DRAM消费市场之一,但本土品牌DRAM自给率依旧较低,国产替代空间巨大。中信建投认为,全球DRAM需求25%来自中国市场,预计2026年国内DRAM缺口约8%,紧缺态势或延续至2027年。DRAM平面架构演进逼近极限(面临漏电流、成本等物理及商业化挑战),但4F²垂直沟道晶体管(VCT)和堆叠沟道晶体管(SCT)等新架构有望突破扩展性极限,这是长鑫实现后发追赶的重要突破口。

3. 产业链上下游拉动效应

长鑫不仅是国产存储的"链主",更拉动全产业链:

· 设备端:北方华创、拓荆科技、中微公司等设备厂商伴随长鑫扩产显著受益

· 材料端:安集科技(CMP抛光液)、雅克科技(前驱体)、华特气体(电子特气)等材料厂商获得宝贵验证机会和订单放量

· 封测端:通富微电、深科技等封测商同步受益

· 长鑫设备采购约80%用于产线扩充,本次募资预计约200亿元用于采购设备,直接拉动国产设备订单增长

六、核心财务数据(从巨亏到翻盘)

2022-2024年:巨额亏损阶段

年份 营收(亿元) 归母净利润(亿元)

2022 82.87 -83.28

2023 90.87 -163.40

2024 241.78 -71.45

2022-2024年累计亏损近370亿元。

2025年:扭亏为盈转折点

全球DRAM价格触底反弹,长鑫产能不断释放:营收618.0亿元,归母净利润18.75亿元,主营业务毛利率大幅提升至41.02%。

2026年Q1:业绩全面爆发

项目 2026年Q1 同比增幅

营收 508亿元 +719%

净利润 330亿元 +1268%

归母净利润 248亿元 +1688%

扣非归母净利润 263亿元 +1993%

经营活动现金流量净额 426亿元 +21235%

资产总额达3882亿元,较2025年底增15.26%,现金流充裕,达到日赚近4亿元。

2026年全年指引

长鑫预计2026年上半年营收1100-1200亿元(同比+613%-677%),归母净利润500-570亿元(同比+2244%-2544%)。

以Q1强势表现为基础,2026年全年营收有望逼近2000亿元,若上半年净利润中值约535亿元,全年或将跨越1000亿元大关。有投资机构按2026年净利润超1500亿元、20倍市盈率估算,长鑫市值目标可达至少3万亿元。

七、估值与机构评估

一级市场估值变迁

· 2024年3月:完成108亿元融资,投前估值约1400亿元;

· 2025年6月:阿里云以61亿元增资获3.85%股权,对应估值升至约1584亿元;

· IPO估值范围:市场预期上市后估值2500-3000亿元;

· 远期想象空间:以20倍PE×1500亿元净利润推算,市值可达3万亿元。

机构核心观点

机构 核心观点

中信证券 看好长鑫上市后扩产持续加速,建议关注设备、封测、模组产业链

招商证券(鄢凡) 2026年DRAM缺口约8%,紧缺延续至2027年,存储超级周期支撑长鑫业绩增长

方正证券/国投证券 长鑫上市推动国产设备与材料验证开发,提升本土化率

摩根士丹利 长鑫卡位战略窗口精准匹配AI算力需求的爆发性增长

中金公司 IPO募资80%约200亿用于设备采购,推动国产设备订单放量

几乎所有机构观点均指向:存储超级周期持续+国产替代加速+产能扩张明确+AI需求爆发=长鑫产业链多环节深度受益。

股东阵容一览

招股书披露长鑫科技股东涵盖:大基金二期、安徽省投资集团、清辉集电(国资背景)、阿里巴巴、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等,以及创始人朱一明此前创办的兆易创新。

⚠️ 八、风险提示

· 估值风险:上市后长鑫估值2500-3000亿元,若以2026年全年指引净利润计算,对应PE约5-6倍(基于全年1500亿利润),看似合理,但当前DRAM价格处于历史高位,一旦价格回落,盈利弹性可能大幅衰减

· 技术代差与追赶不确定性:HBM领域仍是空白,18.5nm/17nm工艺仍落后于国际巨头14nm及以下制程,差距仍需持续追赶

· 地缘政治风险:美国337调查风险,关键设备和EDA工具进口限制可能随时升级

· 巨额折旧与财务压力:截至2025年6月30日,固定资产账面价值从2022年680亿元飙升至1715.93亿元,在建工程323亿元,长期借款1208亿元,净利润大幅增长背后,仍面临高昂折旧和到期债务的还款压力

· 竞争格局变化:三家国际巨头产能依然巨大,三星、SK海力士、美光并未"退出市场",竞争依然激烈

免责声明:本文内容基于公开信息及机构研报整理,不构成任何投资建议。半导体行业具有高波动、高技术风险、强周期性特征,投资者参与前请充分了解风险,理性决策。

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