长鑫科技完整实操干货：一文读懂申购、基本面、机遇与风险

2026年A股年度最大IPO落地，国产唯一DRAM全流程量产企业——长鑫科技正式敲定7月16日全天网上、网下同步申购。不同于普通小盘新股，这只存储赛道“国家队龙头”兼具国产替代、AI算力周期双重红利，全网投资者关注度拉满。本文全部信息源自上交所官方招股公告、权威机构产业数据，拆解申购步骤、公司核心壁垒、业绩逻辑、潜在风险，避开网传不实暴富谣言，给普通散户一份可直接收藏的实操指南。

一、官方发行核心信息（全部来自上交所公告，无网传臆测）

1. 关键时间轴（必记，错过无法参与）

- T-3日（7月13日）：机构初步询价，确定价格区间

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- T-1日（7月15日）：刊登正式发行公告、公布最终发行价、网上路演

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- T日（7月16日）：网上+网下申购日，申购时段9:30-11:30、13:00-15:00

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- T+2日（7月20日）：中签公布、缴款截止日，逾期弃购计入打新黑名单

2. 代码区分，别填错

股票上市代码/网下申购代码：688825

普通散户网上申购代码：787825

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3. 发行规模与配售规则

初始发行66.88亿股，占发行后总股本10%；可全额行使15%绿鞋超额配售，最大发行76.91亿股。

本次发行一半股份用于战略配售（国家队、头部产业机构锁定6个月），大幅减少流通筹码，缓解上市抛压；剩余股份拆分网下机构+网上散户申购。

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4. 散户申购硬性门槛

① 证券账户开通科创板交易权限（2年交易经验+账户日均50万资产）；

② 持有上海市场股票市值，每5000元沪市市值对应1个申购单位（1签=500股）；

③ 顶格申购需沪市市值1672万元，预估网上整体中签率约0.5%，远高于普通科创板新股。

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5. 募资总额295亿元，科创板第二大IPO

仅低于中芯国际，所有募资全部投向DRAM主业，无跨界理财、地产投资，资金用途清晰落地三大板块：75亿现有晶圆产线升级、130亿DDR5服务器存储扩产、90亿HBM、存算一体AI高端存储研发。

二、长鑫科技到底是什么企业？厘清大众最易混淆概念

很多投资者分不清“长鑫科技”和“长鑫存储”，这里一次性讲清股权关系：

长鑫科技集团股份有限公司为上市主体（母公司），长鑫存储是其全资核心子公司，日常大众熟知的存储芯片生产业务，全部由长鑫存储运营。

1. 行业定位：国内独一份的IDM存储巨头

全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三家海外企业垄断，合计占据92%市场份额。长鑫是中国大陆唯一实现DRAM从设计、制造、封测、模组一体化量产（IDM模式） 的企业，合肥、北京布局3座12英寸晶圆厂，当前月产能28万片12英寸晶圆，全球市占率8%，稳居全球第四、国内第一。

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2. 产品覆盖全赛道，踩中AI算力风口

产品线包含DDR4/DDR5通用内存、手机LPDDR低功耗内存、AI服务器大容量存储颗粒，国内阿里云、腾讯云、联想、算力厂商均已导入长鑫国产存储方案。当下AI服务器单机内存搭载量是传统服务器10倍，存储芯片成为算力基建刚需，行业进入3年以上上行周期。

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3. 股权底色：国资+国家大基金双重背书

前五大股东合计持股超58%，合肥地方国资、国家大基金二期为核心战略股东，上市定位是国家半导体自主可控核心标杆，政策持续倾斜支持扩产。

三、业绩爆发逻辑：从连年亏损到单日盈利近4亿，周期红利兑现

招股书披露财务数据真实可查，业绩反转是本次IPO最大看点，完全依托存储芯片涨价+产能释放双重驱动：

1. 历史周期底部：2023-2024年存储价格低迷，公司连续亏损；

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2. 2025年拐点：行业供需收紧，全年扭亏，净利润18.75亿元；

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3. 2026年爆发式增长：

一季度营收508亿元，同比暴涨719.13%；单季归母净利润247.62亿元，去年同期亏损超15亿；

上半年业绩预告：营收1100-1200亿元，归母净利润500-570亿元，净利润同比增幅超22倍，日均盈利接近4亿元。

存储现货价格持续走高，DDR4颗粒两年涨幅超16倍，DDR5涨幅近5倍，行业紧缺格局短期难以缓解，机构一致看好全年业绩持续高增。

四、普通散户打新实操完整步骤（7月16日直接照做）

1. 申购前自查（7月15日前完成）

① 确认科创板权限有效、账户有足额沪市持仓市值；

② 7月15日晚间查看发行公告，确认最终发行价格，提前测算1签所需资金；

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2. 7月16日申购操作

打开券商APP新股申购界面，输入申购代码787825，根据自身可申购额度全额顶格申购（打新默认全额申购提升中签概率）；

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3. 缴款关键提醒

7月20日收盘前，账户留存足额现金，1签500股，按预估7-10元发行价计算，单签仅需3500-5000元，资金门槛极低；逾期未缴款1次，半年内限制新股申购。

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4. 理性看待收益，破除网传谣言

网上流传“一签赚4万、首日翻倍暴涨500%”存在严重夸大：

长鑫科技属于百亿流通盘巨型IPO，流通筹码庞大，无法对标几千万流通盘的小盘新股；机构中性预判首日涨幅区间80%-180%，乐观情景单签收益1-2万元，不存在确定性暴富机会，切勿满仓借贷打新。

五、投资不可忽视的四大核心风险（干货避雷，避免盲目跟风）

很多散户只看到国产替代利好，忽略半导体行业固有波动，打新、长期持有均需警惕：

1. 存储周期性风险

DRAM价格高度供需绑定，若未来海外三大厂商大规模扩产，存储价格快速回落，公司营收、净利润会同步大幅下滑，业绩存在大幅波动可能；

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2. 技术迭代竞争压力

三星、美光已大规模量产高端HBM3、HBM4算力存储，长鑫高端产品仍处于研发阶段，高端市场份额短期难以赶超海外巨头；

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3. 大额资本开支压力

本次募资295亿全部用于建厂、设备采购，后续每年仍需持续投入巨额研发、产线资金，现金流消耗大；

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4. 估值分化风险

上市后市场给予高成长溢价，若后续季度业绩不及机构预期，高估值会快速回调，存在短期股价大幅波动风险。

六、总结：7月16日打新核心要点速记

1. 申购时间：7月16日全天，申购代码787825，20日必须缴款；

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2. 企业价值：国内唯一DRAM量产龙头，AI存储周期+国产替代双重赛道加持，国资背书；

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3. 打新优势：中签率高于普通新股，单签资金门槛低，战略配售锁定半数筹码稳定盘面；

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4. 理性底线：周期行业波动大，不存在稳赚不赔，不借贷、不加仓赌暴涨，按需参与。