8月4日，市场研究机构Counterpoint Research发布《2026年第二季度全球内存追踪报告》。数据显示，长鑫科技第二季度营收同比增长716%，以7%的市场份额位列全球DRAM市场第四，成为当季全球增长最快的DRAM供应商。
报告指出，长鑫科技的增长主要来自国内传统DRAM的强劲需求与产能持续扩张。总体来看，传统 DRAM 价格环比上涨，而 HBM 价格则同比下降。HBM 平均价格的下降尤为明显，这主要是由于现有 HBM3E 产品价格下调以及 HBM4 发布时间延迟所致。
同一季度，三星电子以39%的份额重回榜首，创2024年以来最高水平；SK海力士营收同比增长214%，份额却从上年同期的39%降至26%；美光科技以25%的份额紧随其后；台系厂商南亚科技营收同比增长690%。
长鑫科技，自7月27日以8.66元/股的发行价登陆科创板，当日收盘报49元，全天涨幅465.82%，成交额1411.87亿元，刷新A股个股单日成交纪录，总市值3.28万亿元，超越工商银行登顶A股。
业绩曲线可以解释此次市场热度。
2016年至2025年，这家公司累计亏损366.5亿元，如今单季度归母净利润已相当于前十年累计亏损的三分之二，背后是DRAM价格自2025年下半年以来的持续上涨，以及全球主要厂商产能调配带来的供需缺口。
招股书显示，2023年至2025年，公司营业收入从90.87亿元增至617.99亿元，归母净利润从-163.40亿元转为18.75亿元。而2026年第一季度，营业收入508亿元，同比增长719.13%，归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。
根据最新业绩预告，公司预计上半年营业收入1100亿元至1200亿元，归母净利润500亿元至570亿元。
Wind 统计显示，2026 年一季度科创板上市公司整体归母净利润约 234 亿元，长鑫科技单季归母净利润 247.62 亿元，已超过板块整体水平。
而长鑫科技面前的主要变量是HBM。
Counterpoint Research研究副总裁Shah表示：2026年下半年最值得关注的是，长鑫科技将如何借助近期 IPO 进一步推动 HBM 及 LPDDR6 产能扩张。对于它而言，问题不在于‘能否’，而在于‘何时’能够跻身全球三大内存厂商之列。
据悉，公司规划明年量产12层HBM3E。若计划落地，与三星、SK海力士、美光的技术差距将缩短至2至3年。受先进 EUV 光刻机获取限制，堆叠工艺良率爬坡速度慢于海外厂商。值得关注的是本次IPO募资中，90亿元投向动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，重点布局HBM、MRDIMM等下一代存储技术。
行业层面，二季度传统DRAM价格环比上涨，HBM均价同比下降，主要受HBM3E降价与HBM4延迟影响。随着英伟达Vera Rubin与AMD Instinct MI455X上市，HBM4出货量预计2026年第三季度起增长，价格下行幅度有望收窄。
从全球格局看，DRAM市场正从三星、SK海力士“双雄争霸”进入三强缠斗、长鑫追赶的新阶段。长鑫科技以7%的份额成为最大变量，但若要坐稳“第四极”并冲击第一梯队，仍需在HBM良率、先进制程与行业周期波动中证明自己。
周期上行期的盈利爆发，只是存储行业的上半场；下行周期的产能与成本控制力，才是真正的试金石。
来源：星河商业观察