长鑫科技集团取得半导体结构相关专利，该半导体结构可改善刻蚀效果并降低芯片延迟
9月2日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN116779587B，授权公告日为2026年9月1日。申请公布号为CN116779587A，申请号为CN202310975730.2，申请公布日期为2026年9月1日，申请日期为2023年8月2日，发明人汪逸航、朱子凡，分类号H10W20/47、H10W20/43、H10W20/00、H10W20/42、H10W20/48。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。本公开的半导体结构包括：衬底以及依次层叠于衬底的表面上的第一介质层、第二介质层和轮廓改善层，第一介质层、第二介质层和轮廓改善层的材料均包括含碳的低K介质材料。第一介质层的含碳量大于第二介质层的含碳量，第二介质层的含碳量大于轮廓改善层的含碳量。轮廓改善层、第二介质层和第一介质层中设置有贯穿的金属互连凹槽。半导体结构中还包括导电层，导电层设置于金属互连凹槽内。上述半导体结构能够通过刻蚀制备槽壁笔直程度较高的金属互连凹槽，能够得到较小的金属线间的寄生电容，进而实现较低的芯片的延迟。
长鑫科技是国内DRAM领域领军企业，专注存储器芯片研发制造，具备全产业链自主可控核心壁垒。公司成立于2016年6月13日，将于2026年7月27日登陆上海证券交易所，注册及办公所在地均为安徽省合肥市。
长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，自2016年成立以来始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计，覆盖长鑫存储、26中报业绩反转、新股与次新股等概念板块。
2026年上半年，长鑫科技实现营业收入1503.1亿元，在行业55家相关企业中位列第一，大幅领先第二名江波龙的240.88亿元，远超行业57.58亿元的平均水平与13.51亿元的行业中位数；同期实现净利润1075.5亿元，同样位居行业首位，较第二名江波龙的107.18亿元优势显著，远高于行业28.88亿元的平均净利润与1.99亿元的行业中位数，盈利表现领跑赛道。
| 指标类型 | 2026年上半年数值 | 行业排名 | 行业对比标的数值 | 行业平均数 | 行业中位数 | 行业总家数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 1503.1亿元 | 1 | 江波龙240.88亿元 | 57.58亿元 | 13.51亿元 | 55 |
| 净利润 | 1075.5亿元 | 1 | 江波龙107.18亿元 | 28.88亿元 | 1.99亿元 | 55 |
长鑫科技集团股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种存储器、控制方法和电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611022442.5 | 2026-07-09 | CN122526515A | 2026-08-07 | 李红文、陈泳良、田凯 |
| 2 | 刷新控制电路、存储器以及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611015250.1 | 2026-07-08 | CN122531433A | 2026-08-07 | 李红文、王丹、张良、田凯 |
| 3 | 一种存内处理芯片和存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611007320.9 | 2026-07-07 | CN122511315A | 2026-08-04 | 李红文、陈泳良、田凯 |
| 4 | 存储器件、存储系统以及电子设备 | 发明专利 | 公布 | CN202611007295.4 | 2026-07-07 | CN122598716A | 2026-08-18 | 李红文、陈浩然、沈鹏辉、田凯 |
| 5 | 一种半导体结构、半导体结构的制作方法及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610882609.9 | 2026-06-18 | CN122421745A | 2026-07-17 | 刘明源、高王荣、李春晓、邓宗伟、王宝超 |
| 6 | 半导体结构及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610813358.9 | 2026-06-05 | CN122349219A | 2026-07-07 | 王贺、李辉辉、刘明源 |
| 7 | 半导体结构及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610772665.7 | 2026-05-29 | CN122340813A | 2026-07-03 | 吴楠、刘明源、黎冠杰、张大卫 |
| 8 | 半导体结构及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610746437.2 | 2026-05-27 | CN122269693A | 2026-06-23 | 吴楠、张大卫、刘明源 |
| 9 | 半导体结构及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610728657.2 | 2026-05-25 | CN122269692A | 2026-06-23 | 初剑、祝康、张卓强、葛瑞、元琳、吴楠、刘明源 |
| 10 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610693464.8 | 2026-05-19 | CN122248730A | 2026-06-19 | 李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源 |
| 11 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610683414.1 | 2026-05-18 | CN122269706A | 2026-06-23 | 吴楠、冯道欢、冯唯、刘明源 |
| 12 | 介电材料介电常数提升方法、片内与半导体电容提升方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610667986.0 | 2026-05-14 | CN122205885A | 2026-06-12 | 刘明源、李泽伦、杨晨、李辉辉、孟皓 |
| 13 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610659870.2 | 2026-05-13 | CN122205859A | 2026-06-12 | 初剑、李晓杰、葛瑞、张卓强、祝康、元琳、吴楠、刘明源 |
| 14 | 半导体结构及其制作方法、存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610656833.6 | 2026-05-13 | CN122227879A | 2026-06-16 | 孙靖莹、崔常松、张桐、万国良、元琳、刘明源 |
| 15 | 半导体结构的金属层图案的形成方法及金属层图案 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610652448.4 | 2026-05-12 | CN122206182A | 2026-06-12 | 焦文中、刘明源、许翎靖、常方强、夏大伟 |
| 16 | 半导体结构及其制备方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610595219.3 | 2026-04-30 | CN122121158B | 2026-07-31 | 吴雨阳、郭泽安、张军超、刘明源 |
| 17 | 半导体结构、半导体结构制备方法及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610559824.5 | 2026-04-24 | CN122094154A | 2026-05-26 | 刘明源、孙政、张明、元琳 |
| 18 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610549949.X | 2026-04-23 | CN122094106A | 2026-05-26 | 刘明源、杜国安、邓放心、汪恒 |
| 19 | 一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610525311.2 | 2026-04-20 | CN122121156B | 2026-07-31 | 刘明源、李泽伦、孟皓、杨晨、李辉辉 |
| 20 | 电容器及其制造方法、半导体结构 | 发明专利 | 授权 | CN202610525556.5 | 2026-04-20 | CN122091393B | 2026-08-28 | 刘明源、李泽伦、李辉辉、杨晨、孟皓 |
| 21 | 半导体结构及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610525569.2 | 2026-04-20 | CN122121157B | 2026-08-28 | 刘明源、章星、黎冠杰 |
| 22 | 一种半导体结构的制作方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610501503.X | 2026-04-16 | CN122054587B | 2026-08-07 | 张永胜、万国良、元琳、刘明源 |
| 23 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610475581.7 | 2026-04-10 | CN122028418A | 2026-05-12 | 郭泽安、张军超、袁子豪、李辉辉、刘明源 |
| 24 | 半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610427522.2 | 2026-04-02 | CN121969131B | 2026-07-17 | 刘明源、孙政、张明、元琳 |
| 25 | 半导体结构及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610416387.1 | 2026-03-31 | CN121968579B | 2026-07-31 | 王耐征、孟敬恒、任科、许业陶、李旋、刘明源 |
| 26 | 一种半导体结构的制备方法及半导体结构 | 发明专利 | 授权 | CN202610395899.4 | 2026-03-27 | CN121941050B | 2026-06-05 | 卢小龙、田恩强、刘明源、元琳、张明、章富 |
| 27 | 存储器及存储器的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610377289.1 | 2026-03-25 | CN121908553A | 2026-04-21 | 李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源 |
| 28 | 存储器及存储器的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610377306.1 | 2026-03-25 | CN121924753A | 2026-04-24 | 李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源 |
| 29 | 一种片选信号校准电路和存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202610368800.1 | 2026-03-24 | CN121905233B | 2026-06-19 | 李红文、魏斌 |
| 30 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610352208.2 | 2026-03-20 | CN121888603B | 2026-07-31 | 刘明源、高王荣、鲍锡飞 |
| 31 | 一种半导体结构的制备方法及半导体结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610335492.2 | 2026-03-18 | CN121865615A | 2026-04-14 | 刘明源、孙政、元琳、刘彪 |
| 32 | 半导体结构及其形成方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610319848.3 | 2026-03-16 | CN121888602B | 2026-07-24 | 孙鹏超、王弘、孙政、张明、李思嘉、连磊、刘明源 |
| 33 | 存储器及其操作方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610202220.5 | 2026-02-11 | CN121687136B | 2026-06-19 | 李红文、曹忠伟、高恩鹏、孙见鹏 |
| 34 | 存储器件及其制作方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610189154.2 | 2026-02-10 | CN121692646B | 2026-05-08 | 刘明源、元琳、孙政、梁涛 |
| 35 | 存储器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610180070.2 | 2026-02-09 | CN121687137A | 2026-03-17 | 李红文、尚为兵、徐晗、罗怡菲、杨名 |
| 36 | 存储器件以及电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610185868.6 | 2026-02-09 | CN121687150B | 2026-05-08 | 李红文、肖磊、孙见鹏 |
| 37 | 存储器件的测试方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610158024.2 | 2026-02-04 | CN121641157B | 2026-04-17 | 李红文、张春宇 |
| 38 | 一种电阻校准电路、存储器和电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610154880.0 | 2026-02-03 | CN121641139B | 2026-05-08 | 李红文、饶晗 |
| 39 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610154983.7 | 2026-02-03 | CN121645865B | 2026-05-15 | 刘明源、涂火金、郭琦 |
| 40 | 存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202610143626.0 | 2026-02-02 | CN121687142B | 2026-06-05 | 李红文 |
| 41 | 电压调控电路及存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202610140929.7 | 2026-01-30 | CN121641092B | 2026-05-08 | 李红文、尚为兵 |
| 42 | 半导体器件及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610121167.6 | 2026-01-28 | CN121604412B | 2026-05-26 | 刘明源、孙政、李晓杰、张明、元琳 |
| 43 | 一种半导体结构的制作方法及半导体结构 | 发明专利 | 授权 | CN202610069717.4 | 2026-01-20 | CN121548042B | 2026-04-24 | 张明、石树斌、曹鹏程、王莎莎、刘明源 |
| 44 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610055564.8 | 2026-01-15 | CN121548041B | 2026-06-05 | 刘明源、李春晓、雷斌、张力、邓宗伟、王宝超 |
| 45 | 一种半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610049381.5 | 2026-01-14 | CN121548106B | 2026-07-24 | 刘明源、涂火金 |
| 46 | 基于存储器进行逻辑运算的方法、存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202610036412.3 | 2026-01-12 | CN121506215B | 2026-05-15 | 刘明源、吴元军、高王荣、邓宗伟、王宝超、王凌翔 |
| 47 | 半导体结构及半导体结构的制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202512059357.8 | 2025-12-31 | CN121442690B | 2026-05-08 | 孙鹏超、钟宝健、张明、冯唯、孙政、刘明源 |
| 48 | 半导体结构的制备方法与半导体结构 | 发明专利 | 授权 | CN202512035000.6 | 2025-12-30 | CN121443041B | 2026-04-17 | 孙政、毛思玮、丁天、田灿灿、张明、元琳 |
| 49 | 半导体结构及其形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511014236.5 | 2025-07-22 | CN120881989A | 2025-10-31 | 杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源 |
| 50 | 半导体结构的切割方法及芯片单元 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511014227.6 | 2025-07-22 | CN120878640A | 2025-10-31 | 盛薄辉、赵合明、李华博、王子安、谢炜、黄国铭 |