海外巨头计划2027年量产，这家中国企业提前一年把它造出来了

9月7日，上海。

瑶芯微电子开了一场发布会，发布了一款1200V碳化硅超级结MOSFET。产品规格1200V/28mΩ，25℃下持续电流60A。实测耐压1635V，175℃高温下比导通电阻1.5毫欧·平方厘米，高温电流密度较国际顶级水平提升166%，功率密度提升81%。

翻译一下：在碳化硅功率器件最前沿的技术方向上，一家中国公司率先完成了产品化验证。

这件事到底有多难？

先搞清楚“超级结”是什么。

传统碳化硅功率器件有两种主流结构：平面型和沟槽型。这两种结构有一个天生的矛盾——想要芯片耐得住高压，导通电阻就会变大，发热损耗跟着涨；想要压低损耗，耐压能力又会打折扣。这就像一根水管，管子做粗水流顺畅但扛不住高压，管子做细扛住了高压但水流不畅、阻力大。

超级结的思路是在水管两侧造一排排正负交替的微型隔离柱，关掉阀门承受高压时，这些小柱子一起分担压力，把冲击力分散开。

道理听着简单，做起来极难。

瑶芯微CTO陈开宇的原话是：“这不是简单多做几根柱子，而是一架精密天平。”P柱与N柱两侧的电荷必须精准平衡，哪怕极小偏差，电场分布就会被打破，器件耐压能力直接失效。制造过程被形容为“在微米世界里盖一栋高楼”。

全球范围内，英飞凌、意法半导体、罗姆等海外巨头占据碳化硅功率器件市场约80%的份额。在超级结这个下一代技术上，英飞凌2025年推出了TSJ架构的1200V CoolSiC产品样片，规划2027年用200毫米晶圆正式量产，目标应用是车载牵引逆变器。Wolfspeed的超级结产品也预计2027年量产。

海外巨头把超级结定位为2027年到2031年的下一代主力技术路线。而瑶芯微在2026年9月就完成了产品化验证。

这个时间差，是这篇文章最值得细品的地方。

但故事的另一面，没那么光鲜。

瑶芯微成立于2019年，2026年3月向港交所递交上市申请。招股书里的数据，比发布会的产品参数“朴素”得多。

2023年到2025年，公司营收分别为4.33亿、3.83亿和5.42亿元。2025年营收同比增长41.3%，看着不错。但同期净亏损分别为1.51亿、1.84亿和2.07亿元，三年累计亏损5.42亿元。毛利率从8.5%一路降到2.6%。

毛利率2.6%是什么概念？卖100块钱的东西，毛利只有2块6。扣掉研发、管理、销售费用，净亏。

公司解释说亏损源于战略上优先布局产品组合、拓展头部客户，同时持续加大研发投入。研发费用占营收比例始终保持在13%到15%以上。

说白了：钱花出去了，技术做出来了，但利润还没收回来。

这是典型的硬科技公司早期阶段的画像。技术突破和商业回报之间，隔着一道时间鸿沟。

那为什么说这款产品值得关注？

因为它瞄准的不是一个“小众市场”。

瑶芯微首批客户面向数据中心高压直流供电系统和AI服务器电源。当前AI数据中心正在从传统的12V/48V供电架构向800V高压直流架构转型，对功率器件的耐压、效率和功率密度提出了更高要求。中金公司测算，2030年单MW数据中心建设对应的SiC器件价值量有望达到22万美元。

英飞凌今年也推出了业界首款面向AI数据中心HVDC架构的24kW碳化硅BBU参考设计，采用650V和1200V SiC技术，效率超过99%。

方向是明确的，需求是真实的，但竞争也是激烈的。

我真正想说的是另一件事。

这款产品的发布，标志着一个更深层的变化：中国碳化硅产业正在从“国产替代”走向“原创突破”。

过去几年，国内碳化硅企业的主要工作是补供应链短板——把国外已经成熟的芯片做国产化复刻。这条路当然要走，但天花板也看得见。

瑶芯微选择了一条不同的路。它联合中国科学院院士郝跃团队，协同芯联集成进行工艺平台开发，攻克了高能离子注入、多层精准外延等关键工艺，历经五年完成了从理论模型到产品化的全过程。

这种“院士团队+设计公司+晶圆代工”的产学研模式，绕开了传统IDM的重资产路径，用虚拟IDM模式把设计端的灵活性和制造端的工艺管控结合起来。

这条路能不能走通，最终不取决于发布会的PPT，取决于两件事：良率能不能稳住，客户愿不愿意下订单。

瑶芯微已经与芯联集成开展量产合作，并在国内率先实现8英寸碳化硅MOSFET量产。后续还计划基于超级结技术开发2300V、3300V及更高耐压等级产品。

方向对了，路还很长。中国功率半导体的“原创突破”，需要的不只是一款首发产品，而是从产品到产能再到利润的完整闭环。

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