长鑫科技集团取得刷新控制电路相关专利,优化DRAM刷新耗时,增大其读写可用时间
来源:新浪证券-红岸工作室
9月20日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“刷新控制电路、存储器以及电子设备”的专利,授权公告号CN122531433B,授权公告日为2026年9月18日。申请公布号为CN122531433A,申请号为CN202611015250.1,申请公布日期为2026年9月18日,申请日期为2026年7月8日,发明人李红文、王丹、张良、田凯,专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师成丽杰,分类号G11C11/406、G11C11/409、G11C11/408。
专利摘要显示,本公开提供了一种刷新控制电路、存储器以及电子设备,其中,刷新控制电路应用于存储阵列的刷新控制,包括:寄存器电路,被配置为,获取并存储存储阵列的行锤地址;刷新控制器,被配置为,在存储阵列处于存内计算模式下,响应于接收的刷新命令对寄存器电路中存储的行锤地址对应的受害行执行行锤刷新操作;刷新控制器还被配置为,当寄存器电路中存储的全部行锤地址对应的受害行的行锤刷新操作完毕后,生成并输出处于有效状态的调整使能信号,以指示缩短处于存内计算模式下的存储阵列的刷新周期时间;本公开提供的刷新控制电路用以优化DRAM的刷新操作所占用时间,增大DRAM的读写时间。
长鑫科技是国内领先的DRAM全产业链布局龙头企业,专注于动态随机存取存储器研发制造,技术壁垒突出。公司成立于2016年6月13日,将于2026年7月27日在上海证券交易所上市,注册及办公地址均位于安徽省合肥市。
长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业,自2016年成立以来始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售,所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计,覆盖近端次新、长鑫存储、26中报业绩反转等概念板块。
2026年上半年,长鑫科技实现营业收入1503.1亿元,在所属行业56家企业中位列第一,大幅领先第二名江波龙的240.88亿元,远超行业56.75亿元的平均水平与13.37亿元的中位数;同期实现净利润1075.5亿元,同样位居行业首位,较第二名江波龙的107.18亿元差距显著,远高于行业28.25亿元的平均净利润与1.95亿元的净利润中位数。公司主营业务中,LPDDR系列营收781.91亿元,占比52.02%;DDR系列营收694.72亿元,占比46.22%;其他业务营收26.47亿元,占比1.76%。
| 指标类别 | 具体指标 | 数值情况 | 行业排名/对比 |
|---|---|---|---|
| 营收表现 | 2026年上半年营业收入 | 1503.1亿元 | 1/56,远超行业均值56.75亿元、中位数13.37亿元 |
| 利润表现 | 2026年上半年净利润 | 1075.5亿元 | 1/56,远超行业均值28.25亿元、中位数1.95亿元 |
| 业务构成 | LPDDR系列营收占比 | 52.02% | 核心营收来源 |
| 业务构成 | DDR系列营收占比 | 46.22% | 第二大营收支柱 |
| 业务构成 | 其他业务营收占比 | 1.76% | 补充业务板块 |
长鑫科技集团股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种存储器、控制方法和电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611022442.5 | 2026-07-09 | CN122526515A | 2026-08-07 | 李红文、陈泳良、田凯 |
| 2 | 刷新控制电路、存储器以及电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202611015250.1 | 2026-07-08 | CN122531433B | 2026-09-18 | 李红文、王丹、张良、田凯 |
| 3 | 一种存内处理芯片和存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611007320.9 | 2026-07-07 | CN122511315A | 2026-08-04 | 李红文、陈泳良、田凯 |
| 4 | 存储器件、存储系统以及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611007295.4 | 2026-07-07 | CN122598716A | 2026-08-18 | 李红文、陈浩然、沈鹏辉、田凯 |
| 5 | 一种半导体结构、半导体结构的制作方法及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610882609.9 | 2026-06-18 | CN122421745A | 2026-07-17 | 刘明源、高王荣、李春晓、邓宗伟、王宝超 |
| 6 | 半导体结构及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610813358.9 | 2026-06-05 | CN122349219A | 2026-07-07 | 王贺、李辉辉、刘明源 |
| 7 | 半导体结构及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610772665.7 | 2026-05-29 | CN122340813A | 2026-07-03 | 吴楠、刘明源、黎冠杰、张大卫 |
| 8 | 半导体结构及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610746437.2 | 2026-05-27 | CN122269693A | 2026-06-23 | 吴楠、张大卫、刘明源 |
| 9 | 半导体结构及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610728657.2 | 2026-05-25 | CN122269692A | 2026-06-23 | 初剑、祝康、张卓强、葛瑞、元琳、吴楠、刘明源 |
| 10 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610693464.8 | 2026-05-19 | CN122248730A | 2026-06-19 | 李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源 |
| 11 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610683414.1 | 2026-05-18 | CN122269706A | 2026-06-23 | 吴楠、冯道欢、冯唯、刘明源 |
| 12 | 介电材料介电常数提升方法、片内与半导体电容提升方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610667986.0 | 2026-05-14 | CN122205885A | 2026-06-12 | 刘明源、李泽伦、杨晨、李辉辉、孟皓 |
| 13 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610659870.2 | 2026-05-13 | CN122205859A | 2026-06-12 | 初剑、李晓杰、葛瑞、张卓强、祝康、元琳、吴楠、刘明源 |
| 14 | 半导体结构及其制作方法、存储器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610656833.6 | 2026-05-13 | CN122227879A | 2026-06-16 | 孙靖莹、崔常松、张桐、万国良、元琳、刘明源 |
| 15 | 半导体结构的金属层图案的形成方法及金属层图案 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610652448.4 | 2026-05-12 | CN122206182A | 2026-06-12 | 焦文中、刘明源、许翎靖、常方强、夏大伟 |
| 16 | 半导体结构及其制备方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610595219.3 | 2026-04-30 | CN122121158B | 2026-07-31 | 吴雨阳、郭泽安、张军超、刘明源 |
| 17 | 半导体结构、半导体结构制备方法及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610559824.5 | 2026-04-24 | CN122094154A | 2026-05-26 | 刘明源、孙政、张明、元琳 |
| 18 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610549949.X | 2026-04-23 | CN122094106A | 2026-05-26 | 刘明源、杜国安、邓放心、汪恒 |
| 19 | 一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610525311.2 | 2026-04-20 | CN122121156B | 2026-07-31 | 刘明源、李泽伦、孟皓、杨晨、李辉辉 |
| 20 | 电容器及其制造方法、半导体结构 | 发明专利 | 授权 | CN202610525556.5 | 2026-04-20 | CN122091393B | 2026-08-28 | 刘明源、李泽伦、李辉辉、杨晨、孟皓 |
| 21 | 半导体结构及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610525569.2 | 2026-04-20 | CN122121157B | 2026-08-28 | 刘明源、章星、黎冠杰 |
| 22 | 一种半导体结构的制作方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610501503.X | 2026-04-16 | CN122054587B | 2026-08-07 | 张永胜、万国良、元琳、刘明源 |
| 23 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610475581.7 | 2026-04-10 | CN122028418B | 2026-09-04 | 郭泽安、张军超、袁子豪、李辉辉、刘明源 |
| 24 | 半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610427522.2 | 2026-04-02 | CN121969131B | 2026-07-17 | 刘明源、孙政、张明、元琳 |
| 25 | 半导体结构及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610416387.1 | 2026-03-31 | CN121968579B | 2026-07-31 | 王耐征、孟敬恒、任科、许业陶、李旋、刘明源 |
| 26 | 一种半导体结构的制备方法及半导体结构 | 发明专利 | 授权 | CN202610395899.4 | 2026-03-27 | CN121941050B | 2026-06-05 | 卢小龙、田恩强、刘明源、元琳、张明、章富 |
| 27 | 存储器及存储器的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610377289.1 | 2026-03-25 | CN121908553A | 2026-04-21 | 李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源 |
| 28 | 存储器及存储器的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610377306.1 | 2026-03-25 | CN121924753A | 2026-04-24 | 李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源 |
| 29 | 一种片选信号校准电路和存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202610368800.1 | 2026-03-24 | CN121905233B | 2026-06-19 | 李红文、魏斌 |
| 30 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610352208.2 | 2026-03-20 | CN121888603B | 2026-07-31 | 刘明源、高王荣、鲍锡飞 |
| 31 | 一种半导体结构的制备方法及半导体结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610335492.2 | 2026-03-18 | CN121865615A | 2026-04-14 | 刘明源、孙政、元琳、刘彪 |
| 32 | 半导体结构及其形成方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610319848.3 | 2026-03-16 | CN121888602B | 2026-07-24 | 孙鹏超、王弘、孙政、张明、李思嘉、连磊、刘明源 |
| 33 | 存储器及其操作方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610202220.5 | 2026-02-11 | CN121687136B | 2026-06-19 | 李红文、曹忠伟、高恩鹏、孙见鹏 |
| 34 | 存储器件及其制作方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610189154.2 | 2026-02-10 | CN121692646B | 2026-05-08 | 刘明源、元琳、孙政、梁涛 |
| 35 | 存储器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610180070.2 | 2026-02-09 | CN121687137A | 2026-03-17 | 李红文、尚为兵、徐晗、罗怡菲、杨名 |
| 36 | 存储器件以及电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610185868.6 | 2026-02-09 | CN121687150B | 2026-05-08 | 李红文、肖磊、孙见鹏 |
| 37 | 存储器件的测试方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610158024.2 | 2026-02-04 | CN121641157B | 2026-04-17 | 李红文、张春宇 |
| 38 | 一种电阻校准电路、存储器和电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610154880.0 | 2026-02-03 | CN121641139B | 2026-05-08 | 李红文、饶晗 |
| 39 | 半导体结构及其形成方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610154983.7 | 2026-02-03 | CN121645865B | 2026-05-15 | 刘明源、涂火金、郭琦 |
| 40 | 存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202610143626.0 | 2026-02-02 | CN121687142B | 2026-06-05 | 李红文 |
| 41 | 电压调控电路及存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202610140929.7 | 2026-01-30 | CN121641092B | 2026-05-08 | 李红文、尚为兵 |
| 42 | 半导体器件及其制造方法、电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610121167.6 | 2026-01-28 | CN121604412B | 2026-05-26 | 刘明源、孙政、李晓杰、张明、元琳 |
| 43 | 一种半导体结构的制作方法及半导体结构 | 发明专利 | 授权 | CN202610069717.4 | 2026-01-20 | CN121548042B | 2026-04-24 | 张明、石树斌、曹鹏程、王莎莎、刘明源 |
| 44 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610055564.8 | 2026-01-15 | CN121548041B | 2026-06-05 | 刘明源、李春晓、雷斌、张力、邓宗伟、王宝超 |
| 45 | 一种半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610049381.5 | 2026-01-14 | CN121548106B | 2026-07-24 | 刘明源、涂火金 |
| 46 | 基于存储器进行逻辑运算的方法、存储器 | 发明专利 | 授权 | CN202610036412.3 | 2026-01-12 | CN121506215B | 2026-05-15 | 刘明源、吴元军、高王荣、邓宗伟、王宝超、王凌翔 |
| 47 | 半导体结构及半导体结构的制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202512059357.8 | 2025-12-31 | CN121442690B | 2026-05-08 | 孙鹏超、钟宝健、张明、冯唯、孙政、刘明源 |
| 48 | 半导体结构的制备方法与半导体结构 | 发明专利 | 授权 | CN202512035000.6 | 2025-12-30 | CN121443041B | 2026-04-17 | 孙政、毛思玮、丁天、田灿灿、张明、元琳 |
| 49 | 半导体结构及其形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511014236.5 | 2025-07-22 | CN120881989A | 2025-10-31 | 杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源 |
| 50 | 半导体结构的切割方法及芯片单元 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511014227.6 | 2025-07-22 | CN120878640A | 2025-10-31 | 盛薄辉、赵合明、李华博、王子安、谢炜、黄国铭 |

