长鑫科技官宣第五代DRAM平台量产，存储芯片板块盘中走强

9月21日早盘，A股存储芯片板块走强，长鑫科技、国科微、香农芯创、澜起科技、江波龙等多只存储概念股跟涨。截至发稿，长鑫科技涨2.3%，总市值3.86万亿元。

市场认为，催化主要来自前一日长鑫科技G5平台量产，以及同日联电、力积电带动的成熟制程涨价预期。

前一日，长鑫科技宣布第五代DRAM工艺平台G5正式量产，同日晚间发布自愿性披露公告。据公司大会发布及新华网等媒体报道，G5工艺采用四重曝光方案，把内存阵列有源区半间距缩小到11.95纳米，存储电容深宽比达到45:1。每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，该数据均换算为8Gb颗粒基准统计，属筛选前理论计数，不等同于良率改善。公司称G5平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点。

长鑫科技同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball和245Ball封装，适配中高端智能手机及便携式消费电子，目前已进入规模量产。其中10667Mbps速率版本已搭载于努比亚NaviX Ultra，为该速率国产LPDDR5X芯片首次量产应用。据公司公告，截至公告日，基于G5平台的量产产品尚未形成规模销售，短期内不会对经营业绩产生重大影响；良率爬坡仍需一定周期，新产品导入客户需经过验证与认证环节，市场拓展进度存在不确定性。

长鑫科技于2026年7月27日登陆上交所科创板，发行价8.66元，基础募资约579亿元，全额行使超额配售权后约666亿元，创科创板募资纪录。上市首日开盘报49.5元，盘中总市值一度突破3.31万亿元。据公司半年报，上半年实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%；归母净利润776.05亿元，上年同期亏损23.32亿元，同比扭亏为盈。

从行业近况看，AI算力需求持续推动存储芯片维持高景气。据TrendForce今年7月发布的报告，第三季度服务器DRAM合约价预计环比上涨，但涨幅较第二季度明显收窄。服务器DRAM仍供不应求，但部分美系云服务商已签署长期协议，价格涨幅受到约束。同期NAND合约价预计环比上涨，涨幅同样较前几季缩减。三星、SK海力士和美光进一步向HBM及企业级产品倾斜先进产能，直接挤压消费级DRAM供给空间，PC和手机应用产能分配受限，消费级存储供应偏紧局面短期内难以缓解。

国内方面，长鑫科技在合肥、北京布局多座DRAM晶圆厂，G5平台量产后的产能爬坡与客户导入正在推进，长江存储也在同步推进后续产能建设。两家公司均在加快扩产节奏，以把握AI算力需求带来的存储芯片需求增长窗口，并在技术迭代和供应链本土化方面持续投入。具体进展以公司披露为准。

长江存储控股的科创板IPO申请已于8月21日获受理，据上交所披露，该公司拟募资330亿元，保荐机构为中信证券和中信建投，招股书显示其2026年一季度营收470.42亿元、归母净利润333.79亿元。

从竞争格局看，长鑫科技G5平台量产使国产通用DRAM在关键微缩指标上与全球顶尖量产节点的差距进一步收窄，但HBM、服务器DRAM及EUV路线仍由三星、SK海力士和美光主导，短期尚难言格局重构。

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