长鑫科技集团申请半导体结构相关专利，该半导体结构可增大间隙便于后续填充密封

来源：新浪证券-红岸工作室

9月24日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体封装件以及半导体结构的形成方法”的专利。申请公布号为CN122803706A，申请号为CN202510310770.4，申请公布日期为2026年9月22日，申请日期为2025年3月17日，发明人刘莹，分类号H10W20/43、H10W20/00、H10W72/00、H10W72/20、H10W70/65、H10W70/05。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体封装件以及半导体结构的形成方法。本公开实施例提供的半导体结构包括设置有第一导电垫和第一隔离层的第一表面，第一隔离层至少暴露部分第一导电垫的表面；设置在第一导电垫暴露于第一隔离层的表面上以及第一隔离层上的第一连接层；设置在第一连接层上并与第一导电垫对应设置的第一导电凸块；在垂直于第一表面的一个横截面上，第一导电垫的宽度与第一连接层的宽度的差值的绝对值大于第一导电垫的宽度与第一导电凸块的宽度的绝对值。本公开实施例所提供的半导体结构在第一连接层与第一导电凸块之间存在一个相对较大的间隙，便于后续填充和密封。

长鑫科技是国内DRAM领域龙头企业，专注存储芯片研发制造，具备全产业链一体化核心优势。公司成立于2016年6月13日，将于2026年7月27日登陆上海证券交易所上市，注册及办公地点均位于安徽省合肥市。

长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，自2016年成立以来始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计，覆盖近端次新、26中报业绩反转、新股与次新股等概念板块。

2026年上半年，长鑫科技实现营业收入1503.1亿元，在所属行业56家企业中位列第一，大幅领先第二名江波龙的240.88亿元，远超行业56.75亿元的平均水平与13.37亿元的行业中位数；同期实现净利润1075.5亿元，同样位居行业56家企业首位，较第二名江波龙的107.18亿元优势显著，远高于28.25亿元的行业平均净利润与1.95亿元的行业净利润中位数。公司主营业务构成中，LPDDR系列营收781.91亿元，占比52.02%；DDR系列营收694.72亿元，占比46.22%；其他业务营收26.47亿元，占比1.76%。

长鑫科技集团股份有限公司近期专利情况如下：