【硅基经济】长存控股：国产存储产业重要支点，重塑竞争格局
硅基经济浪潮是渗透所有维度的范式革命，将重构人类文明底层代码。未来已来，硅基经济不是选择，而是必然，将是席卷人类社会每个角落的基础性范式革命，从能源获取、到生命密码，从价值交换、到文化生产，从基础设施、到劳动力结构，一切都将以硅为基，在全新的规则体系下运转，影响深度与广度将超越以往任何技术革命。
硅基经济专题：长存控股（拟IPO）
免费版3,687字，预计阅读8分钟
完整版51,581字
硅基经济，更前瞻，更硬核，支持专题/单篇付费解锁
一、中国存储双星，进入全球主要存储厂商阵营，国产存储产业形成重要支点。
1、中国是全球重要的存储芯片需求市场，过去长期缺少能参与全球竞争的本土存储厂商，关键存储芯片依赖海外供应。
中国电子产业，过去面对海外存储厂商调价、收缩供货、出口管制等情况，很难掌握主动权，面临供应链安全风险。
进入AI时代，存储芯片在算力基建中重要性进一步上升，高端存储成为AI算力发挥的关键约束。
高带宽内存HBM等高端存储，为AI芯片提供大容量、高带宽的数据读取支持，直接影响AI服务器与数据中心的算力表现。
中国只有实现存储芯片国产替代与自主供应，才能稳定自身整个算力产业链，为AI算力建设提供可靠支撑。
2、长鑫科技、长存控股，分别推动中国内存芯片DRAM、闪存芯片NAND两类基础存储芯片，实现从0到1突破，构成中国存储双星。
2016年，长鑫、长存同年成立，长鑫总部在合肥，长存总部在武汉。长鑫逐渐建立DRAM研发与量产体系，长存围绕三维堆叠3D NAND持续开发产品，让中国大陆逐步形成两类基础存储芯片的本土供应能力。
长鑫与长存的技术发展路径形成对照。
长鑫通过取得德国存储企业奇梦达的技术资产建立起点，再依靠自主研发与大规模制造持续升级。
长存依靠自主研发的晶栈Xtacking架构切入，在芯片结构与键合工艺上建立差异化优势，形成区别于国际头部存储厂商的技术路线。
长鑫与长存都推动将研发成果，转化为稳定良率、持续供货、客户认可，让技术路线成为长期竞争力。
长鑫目前产品体系，覆盖DDR4、DDR5、LPDDR等全系列。
2026年9月，长鑫第5代DRAM技术平台G5量产，工艺水平达到全球行业顶尖量产节点。
长鑫基于G5平台的24Gb LPDDR5X，进入国产主流旗舰手机供应链，LPDDR6实现首发量产。
长存基于自研晶栈Xtacking架构，研发、量产多代3D NAND产品。
长存基于Xtacking 4.0，规模化量产267层3D NAND，通过将两片晶圆键合为一体，实现等效294层3D NAND工艺突破，技术水平跻身全球NAND厂商第一梯队。
2025年2月，三星与长存签署3D NAND混合键合专利许可协议，是全球存储巨头首次在原创制造工艺方面，向中国企业付费获取专利授权。
长存自主研发的晶栈Xtacking架构，获得国际头部厂商关注，反映相关知识产权具有明显产业价值。
长鑫与长存，最初分别聚焦DRAM与NAND，随着技术与客户基础扩大，开始探索更多产品市场，业务布局出现交叉。
长鑫、长存不满足现有业务边界，长鑫探索进入NAND市场，长存探索进入DRAM市场，两家业务布局开始交叉，同时分别积极探索高带宽内存HBM、高带宽闪存HBF等更高价值产品领域，不断拓展发展空间。
全球三大存储巨头三星、SK海力士、美光，均采用DRAM与NAND双线布局，是全球仅有的全品类存储厂商。
中国存储厂商从初期分工，走向产品交叉，指向全品类布局方向，也将面对更加全面的国际竞争。
3、长鑫与长存从国产替代的早期参与者，进入全球主要存储厂商阵营。
全球主要存储厂商，集中在韩国、美国、日本、中国。
韩国三星与SK海力士、美国美光，同时布局DRAM、NAND、HBM等市场；美国闪迪、日本铠侠，主要围绕NAND发展，保持长期制造方面合作；中国长鑫以DRAM为核心，中国长存以NAND为核心，持续扩大产能与全球份额。
中国香港科技产业研究机构Counterpoint Research统计，2026年Q2，长鑫按销售收入计算，取得约10%的全球DRAM份额，位列全球第四；长存按存储容量出货量计算，取得约14%全球NAND份额，位列全球第三。
国产存储价值，从增加中国本土存储供应，延伸到带动中国半导体产业链升级。
长鑫与长存的战略价值，既在于实现关键存储芯片自主供应，结束完全依赖进口的局面，也在于以大规模量产线，带动中国半导体设备、材料企业进入真实量产体系，推动整条半导体产业链走向成熟。
展望未来，长鑫与长存持续推进扩产与技术迭代，全球份额与产业影响力将稳步提升，同时长鑫DRAM能力，长存NAND、混合键合、3D堆叠能力，存在很大协同空间，将共同推动国产存储，从基础品类突破，走向高端存储、先进封装、系统级供给等领域，在全球存储产业格局中占据更加重要位置。
二、中国存储产业，沿横向扩产、纵向升级两条主线，扩大竞争空间。
1、长鑫与长存，积极把握本轮存储超级周期的机遇，沿横向扩产、纵向升级两条主线同步发力，向全球存储产业的核心位置迈进。
横向扩产，决定中国存储产业能在全球市场占据多大版图。
长鑫与长存持续扩大晶圆产能，把更多内存DRAM、闪存NAND交付给客户，把中国市场的需求规模，转化为中国厂商的实际供给份额；产能规模越大，中国厂商在全球存储格局中的话语权越强。
纵向升级，决定中国存储产业能攀上多高的技术台阶。
长鑫与长存通过制程微缩（在芯片上把晶体管、存储单元、导线等元件的物理尺寸做小，使同样面积晶圆，能容纳更多元件）、架构迭代，提高单片晶圆的有效产出，向HBM、企业级存储等高价格、高门槛市场突破；技术层级越高，中国厂商越能摆脱同质化竞争，掌握定价主动权。
本轮存储超级周期，为长鑫与长存打开扩大规模、向上突破的时间窗口，实现横向扩产、纵向升级相互支撑。
产能扩大后，制造效率决定新增投入能否在价格回落时保持竞争力。
技术突破后，稳定量产决定厂商能否承接大型客户的持续订单。
两条主线同步推进，长鑫与长存才能把周期红利，转化为穿越周期的长期实力。
2、横向扩产：存储芯片的制造特点，为中国厂商增加供给提供空间。
逻辑芯片与存储芯片的竞争方式不同，存储芯片更适合设计+制造一体化的IDM模式。
GPU、CPU、手机处理器等逻辑芯片，通常围绕具体应用设计。
不同客户需要不同的计算架构与功能组合，逻辑芯片产业逐步形成设计公司负责产品定义、晶圆代工厂负责制造的分工模式。
DRAM、NAND等存储芯片，更接近可按明确指标比较的基础产品或大宗商品。
客户采购同类存储芯片时，主要比较容量、速度、功耗、可靠性、价格等。
存储厂商除设计芯片，还需持续调整制造工艺，让同一座晶圆厂稳定生产更多合格产品。
产品设计、晶圆制造、良率控制等，在存储产业中联系紧密，更适合采用设计制造一体化的IDM模式。
存储芯片与逻辑芯片的制造重点不同，中国存储厂商扩产，不完全受先进光刻机限制。
相比制造先进制程的逻辑芯片，长鑫与长存扩大存储芯片产能，对极紫外光刻机EUV依赖程度相对较低。
中国存储厂商扩产，有设备与工艺等约束，不会被EUV单点锁死，相比先进逻辑芯片对EUV严重依赖，存储芯片难点分布在多方面，对先进光刻机依赖相对较低，借助深紫外光刻机DUV、多重图形化、垂直堆叠、刻蚀沉积、混合键合、良率工程等，有较大优化与升级空间。
先进逻辑芯片制造，看重制程节点与晶体管微缩，3nm、2nm等先进制程，需要在极小尺寸内，提高晶体管密度、降低功耗、提升性能，对EUV光刻机依赖极强。
中国目前无法采购EUV，对最先进逻辑芯片制造形成约束。
对比长鑫、长存，长鑫DRAM更看重光刻精度，扩产与技术升级，受先进光刻设备供给影响较大；长存3D NAND更多依靠垂直堆叠，提高存储密度，对最先进光刻设备依赖较低。
长鑫DRAM制造，光刻精度是重要基础，更看重存储单元微缩与工艺一致性，制造难点包括电容结构、漏电控制、良率控制、成本优化等。
长鑫即使没有EUV，也能利用现有DUV与多重图形化技术路线，实现量产与扩产，尤其是借助第5代技术平台G5，采用四重曝光，实现更小尺寸的存储结构。
长存3D NAND制造，更看重垂直堆叠与高深宽比工艺，主要通过增加存储层数，在相近芯片面积内提高容量，制造难点更多集中在通道孔刻蚀、薄膜沉积、晶圆键合等环节，对精细光刻能力依赖，低于DRAM。
长存基于晶栈Xtacking架构，提高芯片存储密度，优化传输性能与迭代效率，为依托非EUV工艺持续升级产品，提供技术基础。
存储紧缺周期中，扩产速度直接决定厂商能抢到多少市场份额。
三星、SK海力士、美光同样在扩产，大型洁净室建设、设备交付、客户验证都需要时间。
长鑫与长存凭借建设与配套效率，新项目从开工到量产的周期更短，能在供给紧张阶段，更快释放产能，争取更多客户与订单。
长鑫与长存的技术持续升级，同时扩产更快、规模更大，是国际存储巨头担忧未来长鑫与长存竞争压力的主要原因。
3、纵向升级：长鑫提高DRAM制造效率，长存推进NAND架构迭代。
长鑫与长存的技术升级，核心是让同样的晶圆投入，生产更多、更有价值的存储芯片。
长鑫持续缩小DRAM存储单元、改善电容结构，提高每片晶圆的芯片产出。
长存持续增加NAND堆叠层数、优化晶栈Xtacking架构，提高单位晶圆面积能保存的数据量。
技术进步与产能扩张相互配合，有助长鑫与长存在扩大供货时，持续改善单位成本。
2026年9月，长鑫宣布第5代DRAM技术平台G5量产。长鑫披露，在单颗芯片容量同为24Gb条件下，G5平台每片晶圆产出的裸片数量，较上一代平台提高至少50%。
长鑫目前形成常规DRAM规模化制造能力，积极向HBM等高端产品升级。
长鑫持续推进HBM产品研发与相关产线建设，媒体报道，长鑫HBM3样品已向华为等国内AI芯片客户送样验证，未来长鑫将从常规DRAM制造，进一步进入面向AI算力的高端存储领域。
长存技术优势，集中在先进3D NAND、与晶栈Xtacking架构。长存推出采用Xtacking 4.0架构的产品，继续研发新一代NAND技术。
高带宽闪存HBF，是NAND领域值得关注的新技术方向。
长存提出利用高带宽NAND，支持存储与计算协同的技术思路，晶栈Xtacking架构积累的先进键合能力，为探索新型产品提供基础。
HBF目前处于技术与标准形成阶段，长存探索HBF具有现成技术基础，长存基于晶栈Xtacking架构，积累将处理器与NAND闪存键合集成的相关技术，为进一步缩短数据在存储与计算单元间的传输距离提供基础。
相关研报：
【长期主义】第365期环球说：首尔行，好奇心之旅，地缘视角下的City Walk
【长期主义】第337期环球说：富国岛行，与AI硬核对话的升维体验
国家经济、投资的范式变化：从碳基经济到硅基经济，AI寒武纪大爆发时刻
【智能时代】现象级游戏《黑神话：悟空》的思考，游戏二元属性，文化与科技
【智能时代】自动驾驶：汽车iPhone时刻，中国三大流派演化形成中
诸神之战：美国科技巨头，从春秋五霸进入战国七雄｜GBAT 2023 大湾区智能时代产业峰会
人类未来文明三部曲之二：智能时代专题预售开启，奇点临近，未来已来
九宇资本赵宇杰：智能时代思考，认知思维，存在原生、降维、升维三波认知红利
九宇资本赵宇杰：智能时代思考，以史为鉴，科技浪潮，从互联网到AI
九宇资本赵宇杰：智能时代思考，宇宙视角，从碳基生物，到硅基智能体
人类未来文明三部曲之一：元宇宙专题预售开启，59期45万字
九宇资本赵宇杰：1.5万字头号玩家年度思考集，科技创新，无尽前沿
九宇资本赵宇杰：1.5万字智能电动汽车年度思考集，软件定义，重塑一切
【重磅】前沿周报：拥抱科技，洞见未来，70期合集打包送上
【重磅】六合年度报告全库会员正式上线，5年多研究成果系统性交付
【智能电动汽车专题预售】百年汽车产业加速变革，智能电动汽车时代大幕开启
【头号玩家第一季预售】：科技巨头探索未来，头号玩家梯队式崛起
【头号玩家第二季预售】：科技创新带来范式转换，拓展无尽新边疆
【首份付费报告+年度会员】直播电商14万字深度报告：万亿级GMV风口下，巨头混战与合纵连横
【重磅】科技体育系列报告合集上线，“科技+体育”深度融合，全方位变革体育运动
【重磅】365家明星公司，近600篇报告，六合君4年多研究成果全景呈现
九宇资本赵宇杰：CES见闻录，开个脑洞，超级科技巨头将接管一切
【万字长文】九宇资本赵宇杰：5G开启新周期，进入在线世界的大航海时代｜GBAT 2019 大湾区5G峰会
九宇资本赵宇杰：抓住电子烟这一巨大的趋势红利，抓住产业变革中的变与不变
【IPO观察】第一季：中芯国际、寒武纪、思摩尔、泡泡玛特、安克创新等11家深度研报合集
【IPO观察】第二季：理想、小鹏、贝壳、蚂蚁、Snowflake、Palantir等12家公司深度研报合集
【IPO观察】第三季：Coinbase、Roblox、快手、雾芯科技等12家公司深度研报合集
【重磅】年度观察2019系列合集：历时3个多月，超20万字近500页，复盘过去，展望未来，洞悉变与不变
【珍藏版】六合宝典：300家明星公司全景扫描，历时3年，210万字超5,000页，重磅推荐
九宇资本赵宇杰：对智能电动汽车产业的碎片化思考
九宇资本赵宇杰：九宫格分析法，语数外教育培训领域的道与术
【2023回乡见闻录】90、00后小伙伴们万字记录，生活回归正轨，春节年味更浓
【2022回乡见闻录】20位90、00后2万字，4国13地，全方位展现国内外疫情防疫、春节氛围、发展现状差异
【2021回乡见闻录】22位90后2万字，就地过年与返乡过年碰撞，展现真实、立体、变革的中国
【2020回乡见闻录】20位90后2万字，特殊的春节，时代的集体记忆
【重磅】22位“90后”2万字回乡见闻录，讲述他们眼中的中国县城、乡镇、农村
六合君3周岁生日，TOP 60篇经典研报重磅推荐
下午茶，互联网世界的三国杀
5G助推AR开启新产业周期，AR眼镜开启专用AR终端时代
新商业基础设施持续丰富完善，赋能新品牌、新模式、新产品崛起，打造新型多元生活方式
【重磅】中国新经济龙头，赴港赴美上市报告合辑20篇
知识服务+付费+音频，开启内容生产新的产业级机遇，知识经济10年千亿级市场规模可期
从APP Store畅销榜4年更替，看内容付费崛起
新三板破万思考：新三板日交易量10年100倍？
九宇资本赵宇杰：科技改变消费，让生活更美好｜2017 GNEC 新经济新消费峰会
九宇资本赵宇杰：创业时代的时间法则，开发用户平行时间｜2016 GNEC 新经济新智能峰会
九宇资本赵宇杰：互联网引领新经济，内容创业连接新生态｜2016 GNEC 新经济新营销峰会
请务必阅读免责声明与风险提示
