拟募集18.3亿元!上海这家硅光芯片公司更新招股书

拟募集18.3亿元!上海这家硅光芯片公司更新招股书

近日,上交所官网披露,上海羲禾科技股份有限公司科创板IPO将于10月14 日接受上市委审议。

01 募集资金

公司本次募集资金18.3亿元,主要用于投资“AI 算力及数据中心硅光集成芯片产业化能力提升项目”、“下一代硅光集成芯片研发及产业化项目”及“研发中心建设项目”,

AI算力及数据中心硅光集成芯片产业化能力提升项目拟投入56,377.90万元用于产业化能力提升扩建,建设期三年;

下一代硅光集成芯片研发及产业化项目拟投入95,229.65万元用于对单通道 400G 硅光集成芯片,面向 NPO/CPO 应用的多通道、大带宽、高密度硅光集成芯片等下一代产品进行研发及产业化,建设期五年;

研发中心建设项目拟投入31,778.24万元,用于完善技术研发测试创新体系,强化公司在硅光前沿领域的技术壁垒。

02 公司简介

上海羲禾科技股份有限公司成立于2021年,专注于硅光集成技术的研发及商业化,主要产品为高性能硅光集成芯片,产品速率覆盖 400G、800G 及 1.6T,已在 AI 集群及超大型数据中心得到规模应用,2026 年,公司推出 NPO/CPO 收发一体芯片已实现收入。

根据弗若斯特沙利文统计数据,2025年,公司硅光集成芯片全球市场占有率约为 13%,系全球头部硅光集成芯片厂商,亦为全球最主要的独立第三方硅光集成芯片设计公司之一。

在 Scale out(算力集群内的节点间互连)应用中,公司当前量产产品已经完成了对于单通道100G 和单通道200G技术需求的覆盖,单通道400G为下一代光互连产品技术底座,公司通过光电协同设计的硅光 MZM 技术,以及薄膜铌酸锂与硅光异质集成,多路径并行探索实现单通道 400G 的技术和产品方案,并于 2026 年 OFC 上进行了单通道 400G 的样品展示,支持硅光模块迈向 3.2T 及更高速率。

在 Scale up(算力节点内互连)应用中,更高带宽密度的系统需求推动硅光集成芯片向更多通道集成方向发展,公司 1.6T NPO/CPO 收发一体芯片已实现销售,3.2T/6.4TNPO/CPO 收发一体芯片已在终端验证,支持下一代先进光互连架构升级。

在Scale across(跨数据中心/算力集群间互连)应用中,公司已经拓展 400G/800G ZR及 800G Coherent Lite 硅光集成芯片,支持长距传输场景。

在新兴应用方面,公司已推出面向 FMCW 激光雷达应用的相干硅光集成芯片,实现硅光集成技术由通信向硅光传感延伸。

公司系国家级专精特新“小巨人”企业,承担了国家及上海市多个重大科研项目,公司牵头与下游光模块厂商和头部互联网企业合作完成的“高性能光集成与光电协同封装技术及产业化”项目已获得 2025 年度上海市科技进步一等奖。

03 主要产品及服务

公司主要产品为 400G、800G 及 1.6T 速率系列硅光集成芯片,均支持 FRO、LPO 及 LRO 应用。公司硅光集成芯片产品概况如下:

1)100G/lane DR4 发射芯片

公司研发的100G/lane DR4发射芯片,用于光模块的发射端。单芯片速率为400G,芯片架构包括 4 路并行通道,每一路通道皆工作在 1311nm 波长,单通道可实现 100G 的调制速率。根据客户的需求可将单颗芯片用于 400G DR4 光模块或两颗芯片用于 800G 2×DR4 光模块中。

2)100G/lane DR8 发射芯片

公司研发的100G/lane DR8发射芯片,用于光模块的发射端。单芯片速率为800G,芯片架构包括8路并行通道,每一路通道工作在1311nm波长,单通道可实现100G的调制速率。根据客户的需求可将单颗芯片用于800G DR8光模块中。

3)100G/lane 2×FR4 发射芯片

公司研发的100G/lane 2×FR4发射芯片,用于光模块的发射端。单芯片速率为800G。芯片架构包括8路并行通道分成两组,每一组包括4路通道,分别工作在1271/1291/1311/1331nm 波长,单通道可实现100G的调制速率;每组还包括1个Mux器件,用于实现在芯片输出端将4个不同波长的光信号合波,然后耦合至1根光纤中进而在长距离传输应用中节省光纤资源。根据客户的需求可将 单颗芯片用于 800G 2×FR4 光模块中。

4)200G/lane DR4 发射芯片

公司研发的200G/lane DR4发射芯片,用于光模块的发射端。单芯片速率为800G,芯片架构包括4路并行通道,每一路通道皆工作在1311nm波长,单通道可实现200G的调制速率。根据客户的需求可将单颗芯片用于800G DR4光模块或2颗芯片用于1.6T 2×DR4光模块中。

5)200G/lane DR8 发射芯片

公司研发的200G/lane DR8发射芯片,用于光模块的发射端。单芯片速率为1.6T,芯片架构包括 8 路并行通道,每一路通道工作在 1311nm 波长,单通道可实现 200G 的调制速率。根据客户的需求可将单颗芯片用于1.6T DR8光模块中。

6)200G/lane 2×FR4 发射芯片

公司研发的 200G/lane 2×FR4 发射芯片,用于光模块的发射端。单芯片速率为1.6T。芯片架构包括8路并行通道分成两组,每一组包括4路通道,分别工作在 1271/1291/1311/1331nm波长,单通道可实现200G的调制速率;每组还包括1个Mux器件,用于实现在芯片输出端将4个不同波长的光信号合波,然后耦合至1根光纤中进而在长距离传输应用中节省光纤资源。根据客户的需求可将单颗芯片用于 1.6T 2×FR4 光模块中。

7)1.6T NPO/CPO 收发一体芯片

公司研发的1.6T高密度收发集成芯片,用于NPO/CPO光引擎。单芯片速率为1.6T。芯片架构包括16路并行通道,16路单通道100G 的高速调制器和16路单通道100G高速探测器,工作在1310nm波长,支持通过并行单模光纤实现16×100G的数据传输和接收。根据客户需求目前通过使用2颗芯片用于3.2T NPO/CPO光引擎中。

04 营收情况

公司作为全球主要的硅光集成芯片供应商,2023年、2024年、2025年及 2026年1-6月,分别实现营业收入622.70万元、7,095.01万元、46,091.04万元及56,911.68万元,归属于母公司所有者的净利润分别为-2,834.05万元、-2,246.25 万元、17,554.99万元和16,104.54万元,毛利率亦处于较高水平,报告期各期分别为 80.78%、50.75%、62.82%和 59.24%,2026 年 1-6 月毛利率受量产产品价格调整影响小幅下降。

硅光集成芯片的行业竞争格局中,硅光集成芯片的厂商主要可分为三类。

一类为以 Intel 及 Cisco 作为代表的综合性平台厂商,硅光作为其整体业务图的一部分,服务于自身生态亦面向市场开发供应;

第二类为以中际旭创及新易盛等为代表的光模块龙头厂商,基于自身产业链布局向上游芯片延伸,其自研硅光集成芯片主要适配自产硅光模块,如中际旭创披露其子公司从事硅光集成芯片研发,新易盛亦披露其构建硅光集成芯片研发架构;

第三类为以羲禾科技为代表的独立第三方厂商,面向全市场供应硅光集成芯片。上述厂商除 Cisco 主要聚焦电信外,其余均主要聚焦数据通信领域。

硅光行业后续发展将呈现三大发展趋势。

一是数据通信领域持续爆发,可插拔硅光模块继续在 Scale out 中保持快速增长趋势并向更高的单通道速率演进,NPO、CPO 有望率先在 Scale up 中快速渗透,亦可应用于 Scale out;

二是应用场景泛化,向自动驾驶、可穿戴设备、工业传感、医疗诊断等领域延伸;

三是硅光集成技术平台化,产业生态逐步向成熟的集成电路模式演进,随着制造与封装环节的标准化,产业核心驱动力将全面聚焦于前端,硅光集成芯片的设计研发逐步成为构建技术护城河的核心环节。

羲禾科技当下聚焦AI集群及超大型数据中心中的光互连需求,在 Scale out、Scale up 及 Scale across 场景中,探索硅光集成技术的丰富潜力,向更高的单通道速率、更高带宽密度、和更高集成规模迭代升级,持续推动新产品开发,如单通道 400G 硅光集成芯片、3.2T/6.4T/12.8T NPO/CPO 收发集成芯片等。

除此以外,羲禾科技以 FMCW 激光雷达芯片为起点,逐步提升硅光集成技术在自动驾驶等适用激光雷达感知的场景中的渗透率,进一步积极探索和推动硅光传感在可穿戴设备、工业传感、医疗诊断等领域的革新性应用。