长鑫4F²架构突破，美光为何选择不跟进？ 分析师：全球存储市场步入分层博弈

全球存储市场估值震荡加剧背景下，长鑫科技(688825)最新芯片架构突破引发业内技术路线争辩。美光科技高管最新表态不会跟进4F²路线，并认为3D DRAM路线更具确定性。10月22日，A股存储器指数下跌2.65%，长鑫科技股价下跌3.1%；三星电子最新下跌4%，海力士下跌约5%；美光科技盘前下跌3.41%。

巨头路线分歧

围绕长鑫科技最新披露的4F²架构，美光科技总裁兼首席技术与产品官斯科特・德波尔在当地时间10月21日举办的技术与产品网络研讨会上表示，公司内部曾对4F²进行长期评估和原型验证，美光科技可以在较旧的工艺节点上制造4F² DRAM，但这会带来更高的成本和更大的复杂性；美光科技仍将坚持现有的6F²路线，并迈向3D DRAM。因为从长期演进来看，3D DRAM在“扩展性与成本效益”上是更具确定性。

10月10日，长鑫科技总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上公布公司4F²架构等进展，并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。相比DRAM行业主流6F²架构，4F²意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，因此单位面积内的晶体管数量会增多，实现存储密度的提升。该技术最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。

针对存储密度提升，美光科技提出DRAM微缩的终极瓶颈是电容间距，而非单纯的晶体管单元结构；如果电容间距无法同步压缩，单纯改变为4F²结构，并不能线性转化为持续的成本优势。另据机构分析，美光科技认为4F²缺乏可持续演进路径外，还有考虑新架构对ALD（原子层沉积）和选择性外延等工艺提出了极高的制造复杂度，量产成本可能抵消面积缩小带来的收益。

尽管美光科技持不同观点，但存储行业龙头也传出布局4F²的消息。资料显示，三星电子在2026年国际固态电路会议上展示了一款功能性16Gb 4F²测试芯片，SK海力士也提出了把4F² VG（垂直栅极）平台和3D DRAM技术应用于10纳米及以下制程工艺，并在结构、材料和组件方面进行创新。

市场分流

CIC灼识咨询副总监张笑璐日前向记者分析，VSG属于学术界与产业界研发多年的立式GAA。 据介绍，海外巨头原计划在2027—2028年推进至10nm以下制程或3D DRAM时才导入4F²路线，长鑫科技因外部设备限制选择提前跳切。从中长期来看，长鑫科技的架构突围打破韩美厂商在通用DDR5领域的长期定价垄断。

本次研讨会上，美光科技强调将混合键合视为更高规格HBM的核心护城河，推进合作开发vHBM（垂直堆叠内存于计算核心之上），并提出AI时代的存储竞争已经从“单比特成本控制”迁移到“内存、封装与逻辑架构的系统级协同”。

中信里昂指出，4F²新架构有望提升单元阵列密度，但商业成功将取决于电气性能、集成成本及良率。随着韩国芯片制造商也在向垂直沟道设计推进，预计4F²将在未来三年内实现商业化。尽管认证及订单时点仍存在不确定性，但产业机会预计集中在要求更高的刻蚀、沉积及热处理工艺的设备供应商。

存储市场分层博弈

当前通用DRAM涨价幅度有所收窄。CFM闪存市场预计，2026年四季度，服务器DDR5、eSSD价格环比涨幅将分别落在0%至10%、0%至10%区间；Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS价格涨幅分别约0%至5%、0%至3%；PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约0%至10%，cSSD涨幅约0%至3%。涨幅环比第三季度将均有所回落。

长鑫科技预估，今年前三季度公司营业收入约为2650亿元至2700亿元，同比增长约7.26倍至7.42倍；归属于上市公司股东的净利润约为1310亿元至1325亿元，同比大幅扭亏，但第三季度盈利环比增速放缓。江波龙也表示，受前期较高价格基数影响，DRAM和NAND Flash价格涨幅较前期明显收窄，存储价格上涨对公司盈利的边际贡献显著趋缓，行业正在从消费类价格周期转向AI驱动技术周期。

另一方面，国产存储厂商市场份额在持续扩大。

据国际市场研究机构Counterpoint Research估算，长鑫存储在全球DRAM营收中的份额已从2025年第二季度的4%，提升至2026年第二季度的10%，位列全球第四大DRAM厂商。另外，该机构最新预测，2026年第二季度，长江存储按NAND(闪存)出货量排名升至全球第三，仅次于三星电子和SK海力士，超过铠侠和美光科技。

Yole Group计算、软件与存储市场研究员Daniel Niu最新分析，新增晶圆产能陆续投产、制程升级推动位元产出提升，长鑫存储和长江存储在出货量和定价上的话语权将不断增强，在通用存储领域尤为明显。与此同时，国际厂商正逐步将产能重心转向数据中心市场，其在通用领域的份额和定价能力也将相应调整。从更长远来看，长鑫存储的扩张可能加速DRAM产业的结构性分层。

据介绍，三星电子、SK海力士和美光科技预计将聚焦HBM和高端服务器DRAM等高价值领域，长鑫存储则将在主流PC和智能手机DRAM市场发挥更大作用。不过，除价格竞争力外，中国存储在西方供应链中的拓展空间还将受到中美关系等外部因素的影响。