粤芯半导体取得屏蔽栅沟槽VDMOS相关专利，退火消除多晶硅缺陷，提升VDMOS器件性能

来源：新浪证券-红岸工作室

10月30日消息，国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构”的专利，授权公告号CN121357932B，授权公告日为2026年10月23日。申请公布号为CN121357932A，申请号为CN202511478389.5，申请公布日期为2026年10月23日，申请日期为2025年10月16日，发明人赵仲文、陈丹、李滋钰、王宇、于源、张拥华，专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司，专利代理师邓健明，分类号H10D30/01、H10D30/66、H10D64/00、H10D64/01、H10D64/27、H10D64/66。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构。目前VDMOS器件的沟槽深宽比过大使得在屏蔽栅多晶硅间隙填充过程中，容易出现底填充孔隙及贯穿沟槽的缝隙，该缝隙导致在后续刻蚀工艺中，屏蔽栅多晶硅顶部常容易形成叉子状形貌。本发明对原始多晶硅层进行快速热退火，利用快速高温退火技术促进原始多晶硅层中的晶粒生长，消除多晶硅沉积过程中的孔隙和缝隙形貌缺陷，得到无缝隙、平整密实的大晶粒多晶硅层，使得后续对所述大晶粒多晶硅层进行回刻不会形成V型形貌，最终得到平整密实的屏蔽栅多晶硅层避免产生叉子状形貌，从而提升屏蔽栅附近的电场分布质量并提升VDMOS器件的性能与质量。

粤芯半导体成立于2017年12月12日，将于2026年10月13日在深圳证券交易所上市，注册及办公所在地均为广东省广州市，是国内领先的模拟特色工艺晶圆代工企业，聚焦12英寸芯片制造，拥有全产业链配套优势。

公司所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，概念板块涵盖大盘、新股与次新股、政府控股，以特色工艺晶圆代工为核心商业模式，服务芯片设计公司与终端客户，境内外多家一流半导体设计公司均为其客户，具备集成电路、功率器件等产品的工艺研发与制造能力，产品覆盖消费电子、工业控制、汽车电子、人工智能等应用领域。

2026年三季度，粤芯半导体实现营业收入30.15亿元，在行业内5家可比企业中排名第4，当期行业营收第一名华润微为94.91亿元、第二名晶合集成达93.1亿元，行业营收平均数为59.73亿元、中位数为77.58亿元；同期公司净利润为-15.45亿元，位列行业5家可比企业末位，当期行业净利润第一名赛微电子为18.28亿元、第二名华润微达9.19亿元，行业净利润平均数为3.97亿元、中位数为4.41亿元。

粤芯半导体技术股份有限公司近期专利情况如下：