粤芯半导体申请锗光电探测器相关专利,致密层阻刻蚀渗透,防侧掏提器件性能

粤芯半导体申请锗光电探测器相关专利,致密层阻刻蚀渗透,防侧掏提器件性能

来源:新浪证券-红岸工作室

10月30日消息,国家知识产权局信息显示,粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“具有复合介质层的硅基锗光电探测器及制作方法”的专利。申请公布号为CN122995329A,申请号为CN202611488053.1,申请公布日期为2026年10月27日,申请日期为2026年9月23日,发明人欧阳文森、王胜林、余威明,专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙),专利代理师焦亚杰,分类号H10F71/00、H10F30/222、H10F77/1226、H10F77/14、H10F77/70。

专利摘要显示,本发明提供一种具有复合介质层的硅基锗光电探测器及制作方法,硅衬底上形成的氧化硅介质层包括自下而上设置的第一氧化硅层、第二氧化硅层和第三氧化硅层,第一氧化硅层为热氧化硅层,第二氧化硅层为高温氧化硅层,第三氧化硅层为高密度等离子体化学气相沉积氧化硅层,第二氧化硅层的致密度大于第三氧化硅层,HCl刻蚀自由基沿着第三氧化硅层中的微观孔隙向下渗透时,第二氧化硅层可以阻挡HCl刻蚀自由基向下扩散,保护第一氧化硅层,进而不会损伤到第一氧化硅层/硅衬底之间的界面,以避免HCl刻蚀自由基沿着第一氧化硅层/硅衬底之间的界面横向渗透,即本申请能够避免工艺过程中产生侧掏现象,提升器件的性能。

粤芯半导体是国内领先的模拟特色工艺晶圆代工企业,拥有全产业链布局差异化优势。公司成立于2017年12月12日,于2026年10月13日在深圳证券交易所上市,注册及办公所在地均为广东省广州市。

公司所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造,覆盖大盘、新股与次新股、政府控股三大概念板块。公司以特色工艺晶圆代工为核心商业模式,服务芯片设计公司与终端客户,境内外多家一流半导体设计公司均为其核心客户,具备集成电路、功率器件等产品的工艺研发与制造能力,产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、人工智能等领域。

2026年三季度,粤芯半导体实现营业收入30.15亿元,在行业内5家可比企业中排名第4,同期行业头部企业华润微、晶合集成营收分别达94.91亿元、93.1亿元,行业平均营收为59.73亿元,行业营收中位数为77.58亿元。当期公司净利润为-15.45亿元,在5家可比企业中排名末位,同期行业净利润第一名赛微电子达18.28亿元,第二名华润微为9.19亿元,行业净利润平均数为3.97亿元,中位数为4.41亿元。

指标类型 统计周期 公司数值 行业排名/总家数 行业头部企业数值 行业平均数 行业中位数
营业收入 2026年三季度 30.15亿元 4/5 华润微94.91亿元、晶合集成93.1亿元 59.73亿元 77.58亿元
净利润 2026年三季度 -15.45亿元 5/5 赛微电子18.28亿元、华润微9.19亿元 3.97亿元 4.41亿元

粤芯半导体技术股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 具有复合介质层的硅基锗光电探测器及制作方法 发明专利 发明专利申请公布、公布 CN202611488053.1 2026-09-23 CN122995329A 2026-10-27 欧阳文森、王胜林、余威明
2 一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611298514.9 2026-08-26 CN122803338A 2026-09-22 黄海燕、梁生逸、高沛雄
3 一种硅基锗光电探测器及制作方法 发明专利 公布 CN202611208527.2 2026-08-11 CN122719214A 2026-09-08 欧阳文森、王秀金、王胜林、余威明
4 一种硅基锗光电探测器及制作方法 发明专利 公布 CN202611208526.8 2026-08-11 CN122719213A 2026-09-08 欧阳文森、王胜林、余威明
5 一种硅基锗光电探测器及制作方法 发明专利 公布 CN202611208528.7 2026-08-11 CN122719215A 2026-09-08 欧阳文森、王秀金、王胜林
6 基于SOI衬底的终端结构、半导体器件及其制备方法 发明专利 发明专利权授予、授权、公布 CN202611208529.1 2026-08-11 CN122719155B 2026-10-16 高沛雄、黄海燕、赵仲文、陈丹
7 一种高压驱动芯片及其制备方法 发明专利 公布 CN202611205604.9 2026-08-10 CN122742447A 2026-09-11 赵仲文、张邦智、刘旭、高沛雄、张拥华
8 一种双向DTSCR静电防护器件及半导体器件 发明专利 发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布 CN202611182105.2 2026-08-05 CN122699387B 2026-10-16 刘威、魏伟鹏、聂贝贝
9 一种二阶噪声整形逐次逼近型模数转换器 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611095956.3 2026-07-23 CN122600986A 2026-08-18 项伟鹏、吴朝晖、李斌、徐飞、石磊、周唯祎
10 一种LDMOS混合器件模型构建方法、装置及电子设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611071287.6 2026-07-20 CN122595951A 2026-08-18 袁贸宇、蒋盛、张安、梁生逸
11 一种晶体管结构及其制备方法 发明专利 发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布 CN202611063570.4 2026-07-17 CN122602529B 2026-10-09 高沛雄、杨尊、赵仲文
12 双向二极管触发的可控硅器件及其制备方法 发明专利 发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布 CN202611055850.0 2026-07-16 CN122555232B 2026-10-16 刘威、魏伟鹏、郑志辉
13 一种接触孔电容结构制备方法和接触孔电容结构 发明专利 授权 CN202611041537.1 2026-07-14 CN122555168B 2026-09-15 张日林、刘文虎、王正阳
14 一种红外光电探测器的制备方法及红外光电探测器 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202611015427.8 2026-07-09 CN122534994A 2026-08-07 田野、周长见、叶圳达、林伟铭
15 基极浮空三极管触发的可控硅器件及其制备方法 发明专利 发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布 CN202611007829.3 2026-07-08 CN122534957B 2026-10-09 聂贝贝、刘威
16 双向DTSCR结构及静电防护器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610972336.7 2026-07-01 CN122497115A 2026-07-31 刘威、魏伟鹏
17 一种集成电路结构及其制作方法 发明专利 授权 CN202610922953.6 2026-06-25 CN122458480B 2026-09-11 高沛雄、刘毅成
18 存储器分层测试方法、装置、设备及介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610895127.7 2026-06-22 CN122531444A 2026-08-07 钟岱山、黄兆烨、陈斌斌
19 产品分类排产方法以及系统 发明专利 公布 CN202610898023.1 2026-06-22 CN122736204A 2026-09-11 罗莹莹、张代英、王恒凯、江海峰、李耕宽、管坤泉、龚磊
20 一种光罩检测配方生成方法及装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610820577.X 2026-06-08 CN122641324A 2026-08-25 庄泽华
21 一种浅沟槽隔离结构、生成方法及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、发明专利申请公布、公布 CN202610795752.4 2026-06-04 CN122872100A 2026-10-02 李金、孟凡顺、左大勇、黄建生
22 用于芯片测试的设备控制方法、装置、设备及存储介质 发明专利 授权 CN202610637358.8 2026-05-11 CN122152021B 2026-07-21 钟岱山、黄兆烨、陈斌斌、罗洪、张宪育
23 一种高压二次回滞静电防护器件及其制备方法 发明专利 授权 CN202610613950.4 2026-05-07 CN122161165B 2026-07-21 郑志辉、魏伟鹏
24 器件获取系统及器件调用方法、器件存储方法、终端和介质 发明专利 授权、实质审查的生效、公布 CN202610611779.3 2026-05-07 CN122133193B 2026-09-18 肖磊、蒋德舟、徐飞
25 一种高反向维持DDSCR静电防护器件和芯片 发明专利 授权 CN202610551327.0 2026-04-24 CN122094188B 2026-06-26 刘威、魏伟鹏
26 半导体器件及半导体器件的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610520957.1 2026-04-20 CN122438378A 2026-07-21 赵仲文、张邦智、高沛雄、李成龙、张拥华
27 半导体器件及半导体器件的制备方法 发明专利 公布 CN202610520956.7 2026-04-20 CN122438377A 2026-07-21 赵仲文、张邦智、高沛雄、许育骋、张拥华
28 一种BCD器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610492258.0 2026-04-15 CN122054674A 2026-05-15 田野、彭雄、吕游、马吉翔、周长见
29 一种全隔离LDMOS结构及制作方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610429710.9 2026-04-02 CN122318241A 2026-06-30 汤志腾、周长见、魏博文、高沛雄、张加亮、王刚
30 一种掩模版数据确认方法及装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610424304.3 2026-04-01 CN122063821A 2026-05-19 曾辉
31 一种半导体器件制备方法及半导体器件 发明专利 授权 CN202610417674.4 2026-04-01 CN121969158B 2026-05-29 刘晓庆、李斌、刘玉荣
32 半导体结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610361300.5 2026-03-24 CN121925103A 2026-04-24 赵仲文、张邦智、赖宝宁、许俊焯、张拥华
33 一种漏极扩展场效应晶体管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610341459.0 2026-03-19 CN121888650A 2026-04-17 张邦智、刘振、赵仲文、许俊焯、张拥华
34 一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质 发明专利 授权 CN202610297366.2 2026-03-12 CN121843227B 2026-07-10 赖圣明
35 一种多指结构的LDMOS模型构建方法、装置及设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610271295.9 2026-03-06 CN122174785A 2026-06-09 赵远微、耿魁伟、梁生逸
36 一种亚稳态消除电路、比较器电路及模数转换器 发明专利 授权 CN202610271092.X 2026-03-06 CN121814094B 2026-06-19 连捷坤、石磊、徐飞、李思远、蔡江洋
37 一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质 发明专利 公布 CN202610195369.5 2026-02-11 CN121693123A 2026-03-17 李晓怡、陈茗岐、习艳军
38 薄膜电阻制备方法、电阻器件及设备 发明专利 授权 CN202610175372.0 2026-02-06 CN121692672B 2026-05-01 李镇宇、李振文、张拥华、杜扬
39 一种无人搬运车启停调度方法、装置及电子设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610169442.1 2026-02-05 CN121934521A 2026-04-28 陈嘉锋、李佰干
40 一种分裂式深沟槽电容器的制备方法、装置、设备及介质 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610154297.X 2026-02-03 CN121941060A 2026-04-28 王肖莉、刘玉荣、赵仲文、许俊焯、陈丹、魏博文、张拥华
41 半导体器件结构及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610153180.X 2026-02-03 CN121985814A 2026-05-05 鄢江兵、陈献龙、邱盼盼、李振文、赖圣明、邹继润
42 背照式图像传感器的像素隔离结构制备方法及半导体结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610140645.8 2026-02-02 CN121619974A 2026-03-06 陈鑫
43 一种顶层金属层结构、生成方法以及半导体器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610124523.X 2026-01-29 CN121604811A 2026-03-03 赵仲文、李滋钰、石方毅、张拥华
44 一种掩膜组、量测标记结构、形成方法及尺寸量测方法 发明专利 公布 CN202610103461.4 2026-01-26 CN121559807A 2026-02-24 黄远婷、文浩
45 一种具备沟槽漏电极的LDMOS器件结构及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610082071.3 2026-01-21 CN121908590A 2026-04-21 黄海燕
46 一种P型DEMOS器件制备方法及系统 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610082065.8 2026-01-21 CN121908587A 2026-04-21 高沛雄、赵仲文、赖宝宁、张邦智、许俊焯、张拥华
47 一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610047089.X 2026-01-14 CN121941069A 2026-04-28 黄海燕
48 一种批量生产设备的生产规划方法、装置及电子设备 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610015821.5 2026-01-07 CN121882604A 2026-04-17 练沈楠
49 一种数据处理方法和相关装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511930385.6 2025-12-19 CN121708098A 2026-03-20 陈鲁、黄有为、张龙、陈忠奎、邹丽君、徐雨哲、孙守强
50 测试结构及金属电迁移失效分析方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511818919.6 2025-12-04 CN121721459A 2026-03-24 崔金平、刘玉荣、曾旭