粤芯半导体申请锗光电探测器相关专利,致密层阻刻蚀渗透,防侧掏提器件性能
来源:新浪证券-红岸工作室
10月30日消息,国家知识产权局信息显示,粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“具有复合介质层的硅基锗光电探测器及制作方法”的专利。申请公布号为CN122995329A,申请号为CN202611488053.1,申请公布日期为2026年10月27日,申请日期为2026年9月23日,发明人欧阳文森、王胜林、余威明,专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙),专利代理师焦亚杰,分类号H10F71/00、H10F30/222、H10F77/1226、H10F77/14、H10F77/70。
专利摘要显示,本发明提供一种具有复合介质层的硅基锗光电探测器及制作方法,硅衬底上形成的氧化硅介质层包括自下而上设置的第一氧化硅层、第二氧化硅层和第三氧化硅层,第一氧化硅层为热氧化硅层,第二氧化硅层为高温氧化硅层,第三氧化硅层为高密度等离子体化学气相沉积氧化硅层,第二氧化硅层的致密度大于第三氧化硅层,HCl刻蚀自由基沿着第三氧化硅层中的微观孔隙向下渗透时,第二氧化硅层可以阻挡HCl刻蚀自由基向下扩散,保护第一氧化硅层,进而不会损伤到第一氧化硅层/硅衬底之间的界面,以避免HCl刻蚀自由基沿着第一氧化硅层/硅衬底之间的界面横向渗透,即本申请能够避免工艺过程中产生侧掏现象,提升器件的性能。
粤芯半导体是国内领先的模拟特色工艺晶圆代工企业,拥有全产业链布局差异化优势。公司成立于2017年12月12日,于2026年10月13日在深圳证券交易所上市,注册及办公所在地均为广东省广州市。
公司所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造,覆盖大盘、新股与次新股、政府控股三大概念板块。公司以特色工艺晶圆代工为核心商业模式,服务芯片设计公司与终端客户,境内外多家一流半导体设计公司均为其核心客户,具备集成电路、功率器件等产品的工艺研发与制造能力,产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、人工智能等领域。
2026年三季度,粤芯半导体实现营业收入30.15亿元,在行业内5家可比企业中排名第4,同期行业头部企业华润微、晶合集成营收分别达94.91亿元、93.1亿元,行业平均营收为59.73亿元,行业营收中位数为77.58亿元。当期公司净利润为-15.45亿元,在5家可比企业中排名末位,同期行业净利润第一名赛微电子达18.28亿元,第二名华润微为9.19亿元,行业净利润平均数为3.97亿元,中位数为4.41亿元。
| 指标类型 | 统计周期 | 公司数值 | 行业排名/总家数 | 行业头部企业数值 | 行业平均数 | 行业中位数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 2026年三季度 | 30.15亿元 | 4/5 | 华润微94.91亿元、晶合集成93.1亿元 | 59.73亿元 | 77.58亿元 |
| 净利润 | 2026年三季度 | -15.45亿元 | 5/5 | 赛微电子18.28亿元、华润微9.19亿元 | 3.97亿元 | 4.41亿元 |
粤芯半导体技术股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 具有复合介质层的硅基锗光电探测器及制作方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布、公布 | CN202611488053.1 | 2026-09-23 | CN122995329A | 2026-10-27 | 欧阳文森、王胜林、余威明 |
| 2 | 一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611298514.9 | 2026-08-26 | CN122803338A | 2026-09-22 | 黄海燕、梁生逸、高沛雄 |
| 3 | 一种硅基锗光电探测器及制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611208527.2 | 2026-08-11 | CN122719214A | 2026-09-08 | 欧阳文森、王秀金、王胜林、余威明 |
| 4 | 一种硅基锗光电探测器及制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611208526.8 | 2026-08-11 | CN122719213A | 2026-09-08 | 欧阳文森、王胜林、余威明 |
| 5 | 一种硅基锗光电探测器及制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611208528.7 | 2026-08-11 | CN122719215A | 2026-09-08 | 欧阳文森、王秀金、王胜林 |
| 6 | 基于SOI衬底的终端结构、半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利权授予、授权、公布 | CN202611208529.1 | 2026-08-11 | CN122719155B | 2026-10-16 | 高沛雄、黄海燕、赵仲文、陈丹 |
| 7 | 一种高压驱动芯片及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611205604.9 | 2026-08-10 | CN122742447A | 2026-09-11 | 赵仲文、张邦智、刘旭、高沛雄、张拥华 |
| 8 | 一种双向DTSCR静电防护器件及半导体器件 | 发明专利 | 发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布 | CN202611182105.2 | 2026-08-05 | CN122699387B | 2026-10-16 | 刘威、魏伟鹏、聂贝贝 |
| 9 | 一种二阶噪声整形逐次逼近型模数转换器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611095956.3 | 2026-07-23 | CN122600986A | 2026-08-18 | 项伟鹏、吴朝晖、李斌、徐飞、石磊、周唯祎 |
| 10 | 一种LDMOS混合器件模型构建方法、装置及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611071287.6 | 2026-07-20 | CN122595951A | 2026-08-18 | 袁贸宇、蒋盛、张安、梁生逸 |
| 11 | 一种晶体管结构及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布 | CN202611063570.4 | 2026-07-17 | CN122602529B | 2026-10-09 | 高沛雄、杨尊、赵仲文 |
| 12 | 双向二极管触发的可控硅器件及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布 | CN202611055850.0 | 2026-07-16 | CN122555232B | 2026-10-16 | 刘威、魏伟鹏、郑志辉 |
| 13 | 一种接触孔电容结构制备方法和接触孔电容结构 | 发明专利 | 授权 | CN202611041537.1 | 2026-07-14 | CN122555168B | 2026-09-15 | 张日林、刘文虎、王正阳 |
| 14 | 一种红外光电探测器的制备方法及红外光电探测器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611015427.8 | 2026-07-09 | CN122534994A | 2026-08-07 | 田野、周长见、叶圳达、林伟铭 |
| 15 | 基极浮空三极管触发的可控硅器件及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布 | CN202611007829.3 | 2026-07-08 | CN122534957B | 2026-10-09 | 聂贝贝、刘威 |
| 16 | 双向DTSCR结构及静电防护器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610972336.7 | 2026-07-01 | CN122497115A | 2026-07-31 | 刘威、魏伟鹏 |
| 17 | 一种集成电路结构及其制作方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610922953.6 | 2026-06-25 | CN122458480B | 2026-09-11 | 高沛雄、刘毅成 |
| 18 | 存储器分层测试方法、装置、设备及介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610895127.7 | 2026-06-22 | CN122531444A | 2026-08-07 | 钟岱山、黄兆烨、陈斌斌 |
| 19 | 产品分类排产方法以及系统 | 发明专利 | 公布 | CN202610898023.1 | 2026-06-22 | CN122736204A | 2026-09-11 | 罗莹莹、张代英、王恒凯、江海峰、李耕宽、管坤泉、龚磊 |
| 20 | 一种光罩检测配方生成方法及装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610820577.X | 2026-06-08 | CN122641324A | 2026-08-25 | 庄泽华 |
| 21 | 一种浅沟槽隔离结构、生成方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、发明专利申请公布、公布 | CN202610795752.4 | 2026-06-04 | CN122872100A | 2026-10-02 | 李金、孟凡顺、左大勇、黄建生 |
| 22 | 用于芯片测试的设备控制方法、装置、设备及存储介质 | 发明专利 | 授权 | CN202610637358.8 | 2026-05-11 | CN122152021B | 2026-07-21 | 钟岱山、黄兆烨、陈斌斌、罗洪、张宪育 |
| 23 | 一种高压二次回滞静电防护器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610613950.4 | 2026-05-07 | CN122161165B | 2026-07-21 | 郑志辉、魏伟鹏 |
| 24 | 器件获取系统及器件调用方法、器件存储方法、终端和介质 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202610611779.3 | 2026-05-07 | CN122133193B | 2026-09-18 | 肖磊、蒋德舟、徐飞 |
| 25 | 一种高反向维持DDSCR静电防护器件和芯片 | 发明专利 | 授权 | CN202610551327.0 | 2026-04-24 | CN122094188B | 2026-06-26 | 刘威、魏伟鹏 |
| 26 | 半导体器件及半导体器件的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610520957.1 | 2026-04-20 | CN122438378A | 2026-07-21 | 赵仲文、张邦智、高沛雄、李成龙、张拥华 |
| 27 | 半导体器件及半导体器件的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610520956.7 | 2026-04-20 | CN122438377A | 2026-07-21 | 赵仲文、张邦智、高沛雄、许育骋、张拥华 |
| 28 | 一种BCD器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610492258.0 | 2026-04-15 | CN122054674A | 2026-05-15 | 田野、彭雄、吕游、马吉翔、周长见 |
| 29 | 一种全隔离LDMOS结构及制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610429710.9 | 2026-04-02 | CN122318241A | 2026-06-30 | 汤志腾、周长见、魏博文、高沛雄、张加亮、王刚 |
| 30 | 一种掩模版数据确认方法及装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610424304.3 | 2026-04-01 | CN122063821A | 2026-05-19 | 曾辉 |
| 31 | 一种半导体器件制备方法及半导体器件 | 发明专利 | 授权 | CN202610417674.4 | 2026-04-01 | CN121969158B | 2026-05-29 | 刘晓庆、李斌、刘玉荣 |
| 32 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610361300.5 | 2026-03-24 | CN121925103A | 2026-04-24 | 赵仲文、张邦智、赖宝宁、许俊焯、张拥华 |
| 33 | 一种漏极扩展场效应晶体管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610341459.0 | 2026-03-19 | CN121888650A | 2026-04-17 | 张邦智、刘振、赵仲文、许俊焯、张拥华 |
| 34 | 一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质 | 发明专利 | 授权 | CN202610297366.2 | 2026-03-12 | CN121843227B | 2026-07-10 | 赖圣明 |
| 35 | 一种多指结构的LDMOS模型构建方法、装置及设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610271295.9 | 2026-03-06 | CN122174785A | 2026-06-09 | 赵远微、耿魁伟、梁生逸 |
| 36 | 一种亚稳态消除电路、比较器电路及模数转换器 | 发明专利 | 授权 | CN202610271092.X | 2026-03-06 | CN121814094B | 2026-06-19 | 连捷坤、石磊、徐飞、李思远、蔡江洋 |
| 37 | 一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质 | 发明专利 | 公布 | CN202610195369.5 | 2026-02-11 | CN121693123A | 2026-03-17 | 李晓怡、陈茗岐、习艳军 |
| 38 | 薄膜电阻制备方法、电阻器件及设备 | 发明专利 | 授权 | CN202610175372.0 | 2026-02-06 | CN121692672B | 2026-05-01 | 李镇宇、李振文、张拥华、杜扬 |
| 39 | 一种无人搬运车启停调度方法、装置及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610169442.1 | 2026-02-05 | CN121934521A | 2026-04-28 | 陈嘉锋、李佰干 |
| 40 | 一种分裂式深沟槽电容器的制备方法、装置、设备及介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610154297.X | 2026-02-03 | CN121941060A | 2026-04-28 | 王肖莉、刘玉荣、赵仲文、许俊焯、陈丹、魏博文、张拥华 |
| 41 | 半导体器件结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610153180.X | 2026-02-03 | CN121985814A | 2026-05-05 | 鄢江兵、陈献龙、邱盼盼、李振文、赖圣明、邹继润 |
| 42 | 背照式图像传感器的像素隔离结构制备方法及半导体结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610140645.8 | 2026-02-02 | CN121619974A | 2026-03-06 | 陈鑫 |
| 43 | 一种顶层金属层结构、生成方法以及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610124523.X | 2026-01-29 | CN121604811A | 2026-03-03 | 赵仲文、李滋钰、石方毅、张拥华 |
| 44 | 一种掩膜组、量测标记结构、形成方法及尺寸量测方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610103461.4 | 2026-01-26 | CN121559807A | 2026-02-24 | 黄远婷、文浩 |
| 45 | 一种具备沟槽漏电极的LDMOS器件结构及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610082071.3 | 2026-01-21 | CN121908590A | 2026-04-21 | 黄海燕 |
| 46 | 一种P型DEMOS器件制备方法及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610082065.8 | 2026-01-21 | CN121908587A | 2026-04-21 | 高沛雄、赵仲文、赖宝宁、张邦智、许俊焯、张拥华 |
| 47 | 一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610047089.X | 2026-01-14 | CN121941069A | 2026-04-28 | 黄海燕 |
| 48 | 一种批量生产设备的生产规划方法、装置及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610015821.5 | 2026-01-07 | CN121882604A | 2026-04-17 | 练沈楠 |
| 49 | 一种数据处理方法和相关装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511930385.6 | 2025-12-19 | CN121708098A | 2026-03-20 | 陈鲁、黄有为、张龙、陈忠奎、邹丽君、徐雨哲、孙守强 |
| 50 | 测试结构及金属电迁移失效分析方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511818919.6 | 2025-12-04 | CN121721459A | 2026-03-24 | 崔金平、刘玉荣、曾旭 |

