【磷化铌薄膜在超薄线路制造中展现潜力 有助解决电子产品能耗问题】财联社1月15日电,据发表在《科学》杂志上的一项最新研究,美国斯坦福大学研究人员首次发现一种非晶体材料磷化铌,在制造芯片上的超薄线路时,只有几个原子厚的磷化铌薄膜导电能力比铜更好。此外,这种薄膜可在较低温度下沉积生产,与现代计算机芯片相兼容。这种新材料在未来的纳米电子学领域极具潜力,有望带来功能更强、更节能的电子产品,帮助解决当前电子产品中的电力和能耗问题。
“特别声明:以上作品内容(包括在内的视频、图片或音频)为凤凰网旗下自媒体平台“大风号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储空间服务。
Notice: The content above (including the videos, pictures and audios if any) is uploaded and posted by the user of Dafeng Hao, which is a social media platform and merely provides information storage space services.”