士兰微：SiC项目进展顺利
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【士兰微：SiC项目进展顺利】财联社4月8日电，士兰微公告，2024年加快推进“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目建设，目前已形成月产9000片6吋SiC MOS芯片的生产能力。基于自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块已累计出货量5万只。同时，推进“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目建设，8吋SiC mini line已通线，Ⅱ代SiC芯片试流片成功，良品率明显高于6吋。主厂房及其他建筑物正在进行净化装修，预计2025年4季度实现全面通线并试生产。
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