消息称三星1c DRAM良率提升至70%
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【消息称三星1c DRAM良率提升至70%】《科创板日报》4日讯，消息称三星采取的设计变更战略奏效，5月其10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的晶圆效能测试中，达成有意义的良率，即冷态环境下测试良率约50%，热态条件下测试良率达60~70%。
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