天成半导体成功研制14英寸碳化硅单晶材料
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【天成半导体成功研制14英寸碳化硅单晶材料】财联社3月29日电，中北高新区企业天成半导体近日继12英寸双突破后，依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30毫米。14英寸碳化硅单晶材料主要应用于碳化硅部件，即以碳化硅及其复合材料为主要材料的设备零部件。
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