国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房提前封顶
2017-09-28 19:45:41
来源:中国证券网
原标题:国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房提前封顶 中国证券网讯(记者 李兴彩)记者获
原标题:国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房提前封顶
中国证券网讯(记者 李兴彩)记者获悉,28日上午,由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金(简称“大基金”)、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房,实现提前封顶。
此次提前封顶的项目(一期)一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万㎡,预计将于2018年投入使用。项目(一期)达产后,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。
对此,紫光集团董事长赵伟国表示,存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。客观地说,我们在核心技术和产品结构上仍然与世界一流水平存在差距,实现追赶超越的目标绝非一朝一夕,需要坚定的战略定力和耐力,以及矢志不渝的长期投入;另一方面,从现在开始到未来的5-10年,也正是中国集成电路产业发展的最佳窗口期。既然选择了存储芯片作为切入点和突破口,紫光集团和长江存储就一定要抓住机遇,直面挑战,知难而上,通过超常规的投入缩短发展周期,迅速登上全球存储行业的竞争舞台。
资料显示,国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城,项目一期规划投资240亿美元,占地面积1968亩,于2016年12月30日正式开工建设,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
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